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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 First-principles Study of Doped (Silicon, Germanium, Tin) Single-wall Carbon Nanotubes 期刊论文 Cailiao Daobao/Materials Reports, 2022, 卷号: 36, 期号: 9 作者:  Lu, Xuefeng;  Wang, Kuan;  Cui, Zhihong 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2022/06/20 Absorption spectroscopy  Atoms  Calculations  Semiconductor doping  Single-walled carbon nanotubes (SWCN)  Solar cells  Doped silicon  Doped systems  Electronic.structure  First principles  First-principle study  Germanium tins  Silicon germaniums (SiGe)  Single Wall  Single-wall carbon nanotube  Sn-doped   Quantitative strain characterization of sige heterostructures by high-resolution transmission electron microscopy 期刊论文 Physica b-condensed matter, 2010, 卷号: 405, 期号: 16, 页码: 3433-3435 作者:  Zhao, C. W.;  Xing, Y. M.;  Yu, J. Z.;  Han, G. Q. 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Si/ge heterostructures  Strain  High-resolution transmission electron  Microscopy   Quantitative strain characterization of SiGe heterostructures by high-resolution transmission electron microscopy 期刊论文 physica b-condensed matter, 2010, 卷号: 405, 期号: 16, 页码: 3433-3435 Zhao CW (Zhao C. W.); Xing YM (Xing Y. M.); Yu JZ (Yu J. Z.); Han GQ (Han G. Q.) 收藏  |  浏览/下载：100/3  |  提交时间：2010/09/07 Si/Ge heterostructures  Strain  High-resolution Transmission electron  microscopy