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	Effects of Annealing on Enhancement-Mode AlGaN/GaN/AlGaN Double Heterostructures HEMTs with Different GaN Channel Layer Thickness
	Wang, Xin; He, Yun-Long; He, Qing; Wang, Chong; Lei, Wei-Ning; Ma, Xiao-Hua; Zhang, Jin-Cheng; Hao, Yue
	2019
卷号	14页码:184-188
关键词	Annealing Enhancement-Mode AlGaN/GaN/AlGaN HEMT Fluorine Plasma
ISSN号	1555-130X
DOI	10.1166/jno.2019.2469
URL标识	查看原文
WOS记录号	WOS:000456186500006
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4970013
专题	西安理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	Wang, Xin,He, Yun-Long,He, Qing,et al. Effects of Annealing on Enhancement-Mode AlGaN/GaN/AlGaN Double Heterostructures HEMTs with Different GaN Channel Layer Thickness[J],2019,14:184-188.
APA	Wang, Xin.,He, Yun-Long.,He, Qing.,Wang, Chong.,Lei, Wei-Ning.,...&Hao, Yue.(2019).Effects of Annealing on Enhancement-Mode AlGaN/GaN/AlGaN Double Heterostructures HEMTs with Different GaN Channel Layer Thickness.,14,184-188.
MLA	Wang, Xin,et al."Effects of Annealing on Enhancement-Mode AlGaN/GaN/AlGaN Double Heterostructures HEMTs with Different GaN Channel Layer Thickness".14(2019):184-188.

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