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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Band-Edge Work Function Obtained by Plasma Doping TiN Metal Gate for nMOS Device Application 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICE, 2018 作者:  Shan Tang;  Tao GL(陶桂龙);  Li JF(李俊峰);  Zhu HL(朱慧珑);  Wang XL(王晓磊) 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/20 FOI FinFET with Ultra-low Parasitic Resistance Enabled by Fully Metallic Source and Drain Formation on Isolated Bulk-Fin 会议论文 作者:  Wu ZH(吴振华);  Luo J(罗军);  Meng LK(孟令款);  Zhang QZ(张青竹);  Li YD(李昱东) 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2017/05/19 Attainment of dual-band edge work function by using a single metal gate and single high-k dielectric via ion implantation for HP CMOS device 期刊论文 Solid-State Electronics, 2016 作者:  Xu GB(许高博);  Zhou HJ(周华杰);  Zhu HL(朱慧珑);  Liu JB(刘金彪);  Wang Y(王垚) 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2017/05/09 Ion-Implanted TiN Metal Gate With Dual Band-Edge Work Function and Excellent Reliability for Advanced CMOS Device Applications 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015 作者:  Zhu HL(朱慧珑);  Liang QQ(梁擎擎);  Liu JB(刘金彪);  Li JF(李俊峰);  Xiang JJ(项金娟) 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2016/05/31 Investigation of TaN as the wet etch stop layer for HKMG-last integration in the 22 nm and beyond nodes CMOS technology 期刊论文 Vacuum, 2015 作者:  Cui HS(崔虎山);  Luo J(罗军);  Xu J(许静);  Gao JF(高建峰);  Xiang JJ(项金娟) 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2016/05/31 Device parameter optimization for sub-20 nm node HK/MG-last bulk FinFETs 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2015 作者:  Zhao ZG(赵治国);  Luo J(罗军);  Yang H(杨红);  Meng LK(孟令款);  Hong PZ(洪培真) 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2016/05/31