QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 内容类型：会议论文    专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Constant voltage stress characterization of nFinFET transistor during total ionizing dose experiment 会议论文 作者:  Li BH(李彬鸿);  Huang Y(黄杨);  J.Wu;  Huang YB(黄云波);  Li B(李博) 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2019/05/13 High Power-Density 3D Integrated Power Supply Module Based on Panel-Level PCB Embedded Technology 会议论文 作者:  Tingyu Lin;  Hou FZ(侯峰泽);  Guo XP(郭学平);  Wang QD(王启东);  Wenbo Wang 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/05/15 Conducted immunity of Bandgap in SOI technology after electrical stress aging 会议论文 作者:  J.Wu;  H.Zhang;  H.Wang;  L.Zheng;  B.Li 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/13 BEOL Based RRAM with One Extra-mask for Low Cost, Highly Reliable Embedded Application in 28 nm Node and Beyond 会议论文 作者:  Lv HB(吕杭炳);  Xu XX(许晓欣);  Yuan P(袁鹏);  Dong DN(董大年);  Gong TC(龚天成) 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2018/07/26 FinFETs on Insulator with Silicided Source/Drain 会议论文 作者:  Zhu HL(朱慧珑);  Zhao C(赵超);  Yin HX(殷华湘);  Zhong HC(钟汇才);  Zhang QZ(张青竹) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/07/26 Single-Event-Effects Induced by Heavy Ion and Pulsed Laser on 16Mb Magneto-resistive Random Access Memory 会议论文 作者:  Zhang HH(张浩浩);  Bi JS(毕津顺);  Xi K(习凯);  Li J(李金);  Ji LL(季兰龙) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/07/26 FOI FinFET with Ultra-low Parasitic Resistance Enabled by Fully Metallic Source and Drain Formation on Isolated Bulk-Fin 会议论文 作者:  Wu ZH(吴振华);  Luo J(罗军);  Meng LK(孟令款);  Zhang QZ(张青竹);  Li YD(李昱东) 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2017/05/19 Study Of RBSOA Reliability Of Nanoscale Partially Narrow Mesa IGBT (PNM-IGBT) 会议论文 作者:  Lu J(陆江);  Liu HN(刘海南);  Luo JJ(罗家俊);  Wang LX(王立新);  Zhang GH(张国欢) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2017/05/19 Improved Single-Event Hardness of Trench Power MOSFET with a Widened Split Gate 会议论文 作者:  Wang LX(王立新);  Han ZS(韩郑生);  Zhang GH(张国欢);  Li BH(李彬鸿);  Li B(李博) 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2017/05/19 A 1V, 1.1mW mixed-signal hearing aid SoC in 0.13um CMOS process 会议论文 作者:  Chen CY(陈铖颖);  Zhang F(张锋);  Chen LM(陈黎明);  Fan J(范军);  Yu ZH(于增辉) 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2017/05/18