×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [130]
内容类型
期刊论文 [127]
会议论文 [3]
发表日期
2016 [1]
2011 [9]
2010 [9]
2009 [15]
2008 [17]
2007 [7]
更多...
学科主题
半导体物理 [40]
半导体材料 [23]
光电子学 [11]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共130条,第1-10条
帮助
限定条件
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Understanding droop effect by analysis on carrier density dependence in InGaN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes
期刊论文
superlattices and microstructures, 2016, 卷号: 96, 页码: 220-225
Wei Liu
;
Degang Zhao
;
Desheng Jiang
;
Ping Chen
;
Zongshun Liu
;
Jianjun Zhu
;
Jing Yang
;
Xiaoguang He
;
Xiaojing Li
;
Xiang Li
;
Feng Liang
;
Jianping Liu
;
Liqun Zhang
;
Hui Yang
;
Yuantao Zhang
;
Guotong Du
收藏
  |  
浏览/下载:29/0
  |  
提交时间:2017/03/10
The influence of the 1st aln and the 2nd gan layers on properties of algan/2nd aln/2nd gan/1st aln/1st gan structure
期刊论文
Applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: 1211-1216
作者:
Bi, Yang
;
Wang, XiaoLiang
;
Yang, CuiBai
;
Xiao, HongLing
;
Wang, CuiMei
收藏
  |  
浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Characteristics of high al content algan grown by pulsed atomic layer epitaxy
期刊论文
Applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 20, 页码: 8718-8721
作者:
Pan, Xu
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Cuimei
;
Yang, Cuibai
收藏
  |  
浏览/下载:173/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Photoluminescence
Raman scattering
Pulsed atomic layer epitaxy
Algan alloys
Effect of antimony irradiation on inas/sb:gaas quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
Semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 5
作者:
Yang, Xiaoguang
;
Yang, Tao
;
Wang, Kefan
;
Ji, Haiming
;
Ni, Haiqiao
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Detection of large in-plane spin-dephasing anisotropy in [100]-grown gaas/algaas quantum wells
期刊论文
Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2011, 卷号: 43, 期号: 5, 页码: 1127-1130
作者:
Han, L. F.
;
Zhang, X. H.
;
Ni, H. Q.
;
Niu, Z. C.
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Effect of antimony irradiation on InAs/Sb:GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75010
作者:
Yang T
;
Yang XG
;
Wang KF
收藏
  |  
浏览/下载:63/2
  |  
提交时间:2011/07/05
HIGH-DENSITY
TEMPERATURE-DEPENDENCE
SELF-FORMATION
LAYERS
WELL
MBE
Detection of large in-plane spin-dephasing anisotropy in [100]-grown GaAs/AlGaAs quantum wells
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2011, 卷号: 43, 期号: 5, 页码: 1127-1130
作者:
Zhang XH
收藏
  |  
浏览/下载:47/3
  |  
提交时间:2011/07/05
ZINCBLENDE HETEROSTRUCTURES
RELAXATION ANISOTROPY
SYSTEMS
SPINTRONICS
DYNAMICS
Temperature and electron density dependence of spin relaxation in GaAs/AlGaAs quantum well
期刊论文
nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.84
Han LF
;
Zhu YG
;
Zhang XH
;
Tan PH
;
Ni HQ
;
Niu ZC
收藏
  |  
浏览/下载:46/2
  |  
提交时间:2011/07/05
ROOM-TEMPERATURE
Comparison of as-grown and annealed GaN/InGaN:Mg samples
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 34, 页码: 345101
Deng QW
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Yin HB
;
Chen H
;
Lin DF
;
Jiang LJ
;
Feng C
;
Li JM
;
Wang ZG
;
Hou X
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2012/01/06
LIGHT-EMITTING-DIODES
VAPOR-PHASE EPITAXY
BAND-GAP
MG
PHOTOLUMINESCENCE
INGAN
DEPENDENCE
STRAIN
ENERGY
INN
Temperature and electron density dependence of spin relaxation in gaas/algaas quantum well
期刊论文
Nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: 5
作者:
Han, Lifen
;
Zhu, Yonggang
;
Zhang, Xinhui
;
Tan, Pingheng
;
Ni, Haiqiao
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2019/05/12
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace