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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：武汉大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Assessing the Role of Fluorine in the Performance of AlxGa1-x N/Ga N High-Electron-Mobility Transistors from First-Principles Calculations 期刊论文 Physical Review Applied, 2019, 卷号: 11, 期号: 5 作者:  Wang, Rong;  Tong, Xiaodong;  Xu, Jianxing;  Zhang, Shiyong;  Zheng, Penghui 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/05 Low-Frequency Noise in High-Mobility a-InGaZnO/InSnO Nanowire Composite Thin-Film Transistors 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017, 卷号: 38, 期号: 11 作者:  Wan, Da;  Abliz, Ablat;  Su, Meng;  Liu, Chuangsheng;  Jiang, Changzhong 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/05 Amorphous indium-gallium-zinc-oxide (a-InGaZnO)  indium-tin-oxide (ITO) nanowire (NW)  thin-film transistors (TFTs)  low-frequency noise (LFN)  1/f noise model   Low Interface Trap Densities and Enhanced Performance of AlGaN/GaNMOS High-Electron Mobility Transistors Using Thermal Oxidized Y2O3 Interlayer 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015, 卷号: 36, 期号: 12 作者:  Liao, Chongnan;  Zou, Xuming;  Huang, Chun-Wei;  Wang, Jingli;  Zhang, Kai 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/05 AlGaN/GaN  metal-oxide-semiconductor HEMTs  Y2O3  interface engineering   Ambipolar copolymer of dithienocoronenedi-imide and benzo(bis) thiadiazole with balanced hole and electron mobility 期刊论文 ORGANIC ELECTRONICS, 2015, 卷号: 16 作者:  Zhang, Chen;  Zhao, Guangyao;  Zeng, Weixuan;  Tian, Kui;  Dong, Huanli 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/05 Copolymer  Ambipolar  Organic field-effect transistors  Charge mobility   High-Mobility Solution-Processed Amorphous Indium Zinc Oxide/In2O3 Nanocrystal Hybrid Thin-Film Transistor 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2013, 卷号: 34, 期号: 1 作者:  Wang, ChunLan;  Liu, XingQiang;  Xiao, XiangHeng;  Liu, YueLi;  Chen, Wen 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/05 Indium zinc oxide (IZO)  low temperature  solution processing  thin-film transistors (TFTs)