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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 High-performance metamorphic InGaAs resonant cavity enhanced photodetector grown on GaAs substrate 期刊论文 applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 20, 页码: article no.201104 作者:  Li MF;  He JF 收藏  |  浏览/下载：35/3  |  提交时间：2011/07/05 I-N PHOTODIODES   Influence of cracks generation on the structural and optical properties of GaN/Al0.55Ga0.45N multiple quantum wells 期刊论文 applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 8, 页码: 3043-3050 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：83/0  |  提交时间：2010/04/11 nitrides  multiple quantum wells  cracks  dislocations  vacancies x-ray diffraction  X-RAY-DIFFRACTION  EDGE DISLOCATIONS  GAN  FILMS  SUPERLATTICES  RELAXATION  STRAIN   Evolution of mosaic structure in InN grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 269-272 Huang Y (Huang Y.); Wang H (Wang H.); Sun Q (Sun Q.); Chen J (Chen J.); Li DY (Li D. Y.); Zhang JC (Zhang J. C.); Wang JF (Wang J. F.); Wang YT (Wang Y. T.); Yang H (Yang H.) 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/04/11 growth mode  X-ray diffraction  metalorganic chemical vapor deposition  indium nitride  X-RAY-DIFFRACTION  THREADING DISLOCATIONS  ELECTRON-TRANSPORT  BUFFER LAYER  THIN-FILMS  GAN FILMS  SAPPHIRE  ALN   Characteristics of InGaN multiple quantum well blue-violet laser diodes 期刊论文 science in china series e-technological sciences, 2006, 卷号: 49, 期号: 6, 页码: 727-732 Li DY (Li Deyao); Zhang SM (Zhang Shuming); Wang JF (Wang Jianfeng); Chen J (Chen Jun); Chen LH (Chen Lianghui); Chong M (Chong Ming); Zhu JJ (Zhu Jianjun); Zhao DG (Zhao Degang); Liu ZS (Liu Zongshun); Yang H (Yang Hui); Liang JW (Liang Junwu) 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/04/11 metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)  GaN-hased laser diodes  multiple quantum well  ridge waveguide  threshold current  ELECTRICAL-PROPERTIES  GAN SUBSTRATE  CONTACTS   Effect of the N/Al ratio of AlN buffer on the crystal properties and stress state of GaN film grown on Si(111) substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 3-4, 页码: 331-335 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：207/73  |  提交时间：2010/03/09 full-width at half-maximum   Structural and optical properties of quaternary AlInGaN epilayers grown by MOCVD with various TMGa flows 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 3-4, 页码: 388-393 作者:  Li DB 收藏  |  浏览/下载：260/57  |  提交时间：2010/03/09 triple-axis X-ray diffraction   Photoluminescence investigation of charge build-up process in the emitter of a double-barrier resonant tunneling structure 期刊论文 chinese physics letters, 1996, 卷号: 13, 期号: 9, 页码: 707-710 Luo KJ; Zheng HZ; Zhang T; Li CF; Yang XP; Zhang PH; Zhang W; Tian JF 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/17 QUANTUM WELL  SPECTROSCOPY