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科研机构
半导体研究所 [9]
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期刊论文 [7]
会议论文 [2]
发表日期
2011 [1]
2010 [1]
2008 [1]
2006 [1]
2003 [1]
1999 [1]
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学科主题
半导体材料 [9]
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学科主题:半导体材料
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Cathodoluminescence of Yellow and Blue Luminescence in Undoped Semi-insulating GaN and n-GaN
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: article no.37102
Hou QF
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Yang CB
;
Yin HB
;
Li JM
;
Wang ZG
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浏览/下载:40/4
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提交时间:2011/07/05
EPITAXIAL LAYERS
PHOTOLUMINESCENCE
ABSORPTION
CARBON
BAND
The two- to three-dimensional growth transition of InAs/GaAs epitaxy layer studied by reflectance difference spectroscopy
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 8, 页码: art. no. 083513
Zhou GY (Zhou G. Y.)
;
Chen YH (Chen Y. H.)
;
Tang CG (Tang C. G.)
;
Liang LY (Liang L. Y.)
;
Jin P (Jin P.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/12/05
QUANTUM-DOT SYSTEM
ISLAND FORMATION
IN-SITU
EVOLUTION
GAAS
PHOTOLUMINESCENCE
First-principles study of native defects in rutile TiO2
期刊论文
physics letters a, 2008, 卷号: 372, 期号: 9, 页码: 1527-1530
Peng, H
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浏览/下载:86/28
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提交时间:2010/03/08
defects
rutile
TiO2
first-principles
Deep levels in high resistivity GaN epilayers grown by MOCVD
会议论文
32nd international symposium on compound semiconductors, rust, germany, sep 18-22, 2005
Fang, CB
;
Wang, XL
;
Wang, JX
;
Liu, C
;
Wang, CM
;
Hu, GX
;
Li, JP
;
Li, CJ
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浏览/下载:114/18
  |  
提交时间:2010/03/29
THERMALLY STIMULATED CURRENT
GALLIUM NITRIDE
DEFECTS
Nano-layer structure of silicon-on-insulator materials
会议论文
11th seoul international symposium on the physics of semiconductors and applications, seoul, south korea, aug 20-23, 2002
Wang X
;
Chen M
;
Chen J
;
Wang X
;
Dong YN
;
Liu XH
;
He P
;
Tian LL
;
Liu ZL
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/15
SOI
nanostructure
microelectronic materials
Substrate surface atomic structure influence on the growth of InAlAs quantum dots
期刊论文
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 608-612
作者:
Xu B
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/08/12
photoluminescence
atomic-terminated surface
quantum dots
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
VISIBLE PHOTOLUMINESCENCE
MONOLAYER COVERAGE
INAS
GAAS
GE
INXGA1-XAS
ENSEMBLES
GAAS(100)
3-DIMENSIONAL ISLAND FORMATION
Study of GSMBE growth and characteristics of high-quality strained In0.63Ga0.37As/InP quantum wells
期刊论文
journal of crystal growth, 1997, 卷号: 180, 期号: 1, 页码: 22-26
Wang XL
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Hou X
;
Zeng YP
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/17
quantum wells
GSMBE
InGaAs/InP
photoluminescence
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
VAPOR-PHASE EPITAXY
ROOM-TEMPERATURE
MULTILAYERS
DEFECTS
DISLOCATIONS
MODULATION
LASERS
SHIFT
GSMBE growth and characterization of InxGa1-xAs/InP strained-layer MQWs in a P-i-N configuration
期刊论文
journal of crystal growth, 1997, 卷号: 175, 期号: 0, 页码: 1254-1258
Wang XL
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Hou X
;
Zeng YP
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/17
quantum wells
molecular beam epitaxy
InGaAs/InP
optical properties
QUANTUM-WELL STRUCTURES
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ROOM-TEMPERATURE
MODULATION
EXCITONS
LASERS
SHIFT
GSMBE growth and PL investigation of lattice-matched InGaAs/InP quantum wells
期刊论文
journal of crystal growth, 1996, 卷号: 164, 期号: 0, 页码: 281-284
Wang XL
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Hou X
;
Zeng YP
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/17
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
VAPOR-PHASE EPITAXY
LASERS
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