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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The effect of proton radiation on a superlumine scent diode (SLD) 期刊论文 nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 2007, 卷号: 260, 期号: 2, 页码: 623-627 Zhao M; Tan MQ; Wu XM; Sun MX 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/03/29 SLD   Structure and photoluminescence studies of Pr-implanted GaN 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 267, 期号: 3-4, 页码: 400-404 Song SF; Chen WD; Su FH; Zhu JJ; Ding K; Hsu CC 收藏  |  浏览/下载：65/22  |  提交时间：2010/03/09 doping   Dependence of implantation-induced damage with photoluminescence intensity in GaN : Er 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 265, 期号: 1-2, 页码: 78-82 Song, SF; Chen, WD; Zhu, JJ; Hsu, CC 收藏  |  浏览/下载：233/52  |  提交时间：2010/03/09 defects   Growth and characterization of GaInNAs/GaAs by plasma-assisted molecular beam epitaxy 会议论文 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Pan Z; Li LH; Zhang W; Wang XU; Lin YW; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15 adsorption  characterization  radiation  molecular beam epitaxy  nitrides  SURFACE-EMITTING LASER  QUANTUM-WELLS  OPERATION  RANGE   The improvement characteristics of homoepitaxial GaAs grown by atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 191-193 Wang HL; Zhu HJ; Ning D; Wang H; Wang XD; Guo ZS; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：83/0  |  提交时间：2010/08/12 atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy  deep level transient spectroscopy  deep level defects  DISLOCATION DENSITY  IRRADIATION