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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2001    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 MnSi similar to 1.73 grown on silicon with mass-analyzed low energy dual ion beam epitaxy technique 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 226, 期号: 4, 页码: 517-520 Yang JL; Chen NF; Liu ZK; Yang SY; Chai CL; Liao MY; He HJ 收藏  |  浏览/下载：112/13  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  ion beam epitaxy  semiconducting manganese silicide  SEMICONDUCTING SILICIDES  THIN-FILMS   Self-assembled quantum dots, wires and quantum-dot lasers 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 1132-1139 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：143/9  |  提交时间：2010/08/12 low dimensional structures  strain  molecular beam epitaxy  quantum dots  semiconducting III-V materials  laser diodes  WELL LASERS   Size and shape evolution of self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots influenced by seed layer 会议论文 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 low dimensional structures  molecular beam epitaxy  nanomaterials  INAS ISLANDS  GAAS  GROWTH  GAAS(100)  THICKNESS  DENSITY   Effect of as interstitial diffusionon on the properties of undoped semi-insulating LECGaAs 期刊论文 rare metals, 2001, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 187-191 Yang RX; Zhang FQ; Chen NF 收藏  |  浏览/下载：90/3  |  提交时间：2010/08/12 semi-insulating GaAs  intrinsic acceptor defects  As interstitial indiffusion  As pressure  annealing  SEMIINSULATING GAAS   Indium doping effect on GaN in the initial growth stage 期刊论文 journal of electronic materials, 2001, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 977-979 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：155/29  |  提交时间：2010/08/12 GaN  indium doping  initial growth stage  morphology  optical transmission  photoluminescence  VAPOR-PHASE EPITAXY  BUFFER LAYER  FILMS  SAPPHIRE  DEPOSITION   Influences of initial nitridation process on the optical and structural characterization of GaN layer grown on sapphire (0001) by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 physica status solidi a-applied research, 2001, 卷号: 188, 期号: 2, 页码: 653-657 Sun XL; Yang H; Zhu JJ; Wang YT; Chen Y; Li GH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：102/3  |  提交时间：2010/08/12 GALLIUM NITRIDE  LUMINESCENCE  BULK   Size and shape evolution of self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots influenced by seed layer 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 1005-1009 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：125/19  |  提交时间：2010/08/12 low dimensional structures  molecular beam epitaxy  nanomaterials  INAS ISLANDS  GAAS  GROWTH  GAAS(100)  THICKNESS  DENSITY   Highly conductive nb-doped BaTiO3 epitaxial thin films grown by laser molecular beam epitaxy 期刊论文 chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 1513 Yan Lei; Lu Huibin; Chen Zhenghao; Dai Shouyu; Tan Guotai; Yang Guozhen 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/23 The PL "violet shift" of cerium dioxide on silicon 期刊论文 chinese science bulletin, 2001, 卷号: 46, 期号: 24, 页码: 2046-2048 Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Liao MY; Chen NF; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：97/8  |  提交时间：2010/08/12 cerium dioxide thin film  PL violet shift  THIN-FILMS  DEPOSITION  CEO2  INTERFACE  OXIDES  GROWTH   Self-assembled quantum dots, wires and quantum-dot lasers 会议论文 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15 low dimensional structures  strain  molecular beam epitaxy  quantum dots  semiconducting III-V materials  laser diodes  WELL LASERS