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浏览/检索结果: 共34条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2003    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Void formation and failure in InGaN/AlGaN double heterostructures 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 404-412 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：206/2  |  提交时间：2010/08/12 defects  metalorganic vapor phase epitaxy  nitrides  semiconducting III-V materials  light emitting diodes  LIGHT-EMITTING-DIODES  MULTIPLE-QUANTUM WELLS  THREADING EDGE DISLOCATION  VAPOR-PHASE EPITAXY  N-TYPE GAN  GALLIUM NITRIDE  GROWTH STOICHIOMETRY  SCATTERING  DEFECTS  LUMINESCENCE   Structure and optical properties of upper In(Ga)As quantum dots on a different seed layer with a thin GaAs spacer layer 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 49-54 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/08/12 photoluminescence  molecular beam epitaxy  nanomaterials  semiconducting III-V materials  SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY  GROWTH  INP   Effects of the crystal structure on electrical and optical properties of pyrite FeS2 films prepared by thermally sulfurizing iron films 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 230-238 Wan DY; Wang YT; Wang BY; Ma CX; Sun H; Wei L 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 crystal structure  sulfidation of iron films  iron pyrite films  semiconducting materials  solar cells  THIN-FILMS  ELECTRODEPOSITION  ATMOSPHERE  PRESSURE   Influence of growth pressure of a GaN buffer layer on the properties of MOCVD GaN 期刊论文 science in china series e-technological sciences, 2003, 卷号: 46, 期号: 6, 页码: 620-626 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：252/65  |  提交时间：2010/08/12 gallium nitride  MOCVD  in situ laser reflectometry  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  IN-SITU  SAPPHIRE SUBSTRATE  NUCLEATION LAYERS  FILMS   Photoluminesfcence of Er-doped SiO2 films containing Si nanocrystals and Er 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 10-15 Chen CY; Chen WD; Song SF; Hsu CC 收藏  |  浏览/下载：441/2  |  提交时间：2010/08/12 low dimensional structures  chemical vapor deposition processes  nanomaterials  semiconducting materials  SILICON NANOCRYSTALS  LUMINESCENCE  EXCITATION   The evolution of InAs/InAlAs/InGaAlAs quantum dots after rapid thermal annealing 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 59-63 作者:  Xu B;  Jin P;  Li CM;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12 low dimensional structures  nanostructures  quantum dots  molecular beam epitaxy  semiconducting III-V materials  laser diode  TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE   MnSb/porous silicon hybrid structure prepared by physical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 259, 期号: 1-2, 页码: 110-114 Xiu HX; Chen NF; Peng CT 收藏  |  浏览/下载：335/6  |  提交时间：2010/08/12 physical vapor deposition processes  manganese antimonide  porous silicon  POROUS-SILICON  FILMS  MNSB  EPITAXY   Effects of reactor pressure on GaN nucleation layers and subsequent GaN epilayers grown on sapphire substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 254, 期号: 3-4, 页码: 348-352 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：230/30  |  提交时间：2010/08/12 in situ laser reflectometry  lateral overgrowth  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  HIGH-QUALITY GAN  BUFFER LAYER  THREADING DISLOCATIONS  TEMPERATURE  EVOLUTION  SURFACE  MOVPE   Study on variable capacitance diode of (p)nc-Si : H/(n)c-Si heterojunction 期刊论文 vacuum, 2003, 卷号: 71, 期号: 4, 页码: 465-469 Wei WS; Wang TM; Zhang CX; Li GH; Li YX 收藏  |  浏览/下载：435/4  |  提交时间：2010/08/12 nc-Si : H film  (p)nc-Si : H/(n)c-Si heterojunction  variable capacitance diode  NANOCRYSTALLINE SILICON FILMS  ELECTRICAL CHARACTERIZATION  CONDUCTION MECHANISM  SPECTROSCOPY  STATES   Magnetic properties of silicon doped with gadolinium 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 2003, 卷号: 77, 期号: 3-4, 页码: 599-602 Zhou JP; Chen NF; Song SL; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：321/10  |  提交时间：2010/08/12 METAL-INSULATOR-TRANSITION  BEAM EPITAXY TECHNIQUE  SEMICONDUCTING SILICIDES  INDUCED FERROMAGNETISM  FILMS  MAGNETORESISTANCE  TEMPERATURE  ALLOYS