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A SiC asymmetric cell trench MOSFET with a split gate and integrated p(+)-poly Si/SiC heterojunction freewheeling diode
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2023, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: 8
作者:
Jiang, Kaizhe
;
Zhang, Xiaodong
;
Tian, Chuan
;
Zhang, Shengrong
;
Zheng, Liqiang
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2023/10/07
split gate (SG)
heterojunction freewheeling diode (HJD)
SiC asymmetric cell trench MOSFET
turn-on loss
turn-off loss
碳化硅功率MOSFET的工作状态对电离辐射损伤特性的影响研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:
杨圣
收藏
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2021/08/27
SiC功率MOSFET
电离总剂量效应
高功率
开关频率
长期可靠性
A MOSFET-based high voltage nanosecond pulse module for the gating of proximity-focused microchannel plate image-intensifier
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT, 2021, 卷号: 987
作者:
Fang, Yuman
;
Gou, Yongsheng
;
Zhang, Minrui
;
Wang, Junfeng
;
Tian, Jinshou
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2021/01/28
Image intensifier
ICCD camera
MOSFET switching
Ultrafast imaging
Nanosecond pulse generation
A Charge Density Model of Silicon-nanowire GAA MOSFET Incoroperating the Source-drian Tunneling Effect for IC Design
会议论文
Guilin, China, June 4-6, 2021
作者:
Cheng H(程贺)
;
Zhang C(张超)
;
Liu TF(刘铁锋)
;
Xie C(谢闯)
;
Yang ZJ(杨志家)
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2022/02/04
ballistic transport
compact model
integrated-cricuit design
sub-7 nm GAA MOSFET
the source-drain tunneling
空间辐射环境下 SiC MOSFET 的栅氧可靠性研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
梁晓雯
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2020/11/19
SiC MOSFET
栅氧可靠性
总剂量效应
单粒子效应
潜损伤
安全工作区
Study of the influence of gamma irradiation on long-term reliability of SiC MOSFET
期刊论文
RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2020, 卷号: 175, 期号: 5-6, 页码: 559-566
作者:
Liang, XW (Liang, Xiaowen)[ 1,2,3 ]
;
Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1,2 ]
;
Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1,2 ]
;
Zhao, JH (Zhao, Jinghao)[ 1,2,3 ]
;
Yu, XF (Yu, Xuefeng)[ 1,2 ]
收藏
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2020/12/11
SiC MOSFET
total ionizing dose irradiation
time-dependent dielectric breakdown
Nanowire gate-all-around MOSFETs modeling: ballistic transport incorporating the source-to-drain tunneling
期刊论文
Japanese Journal of Applied Physics, 2020, 卷号: 59, 期号: 7, 页码: 1-9
作者:
Cheng H(程贺)
;
Liu TF(刘铁锋)
;
Zhang C(张超)
;
Liu ZF(刘志峰)
;
Yang ZJ(杨志家)
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2020/07/11
ballistic transport
cylindrical gate-allaround (GAA) MOSFET
compact model
Wentzel-Kramers-Brillouin (WKB) approximation
the source-to-drain tunneling
A Single Gate Driver Based Solid-State Circuit Breaker Using Series Connected SiC MOSFETs
期刊论文
IEEE Transactions on Power Electronics, 2019, 卷号: 34, 页码: 2002-2006
作者:
Ren, Yu
;
Yang, Xu
;
Zhang, Fan
;
Wang, Fei
;
Tolbert, Leon M.
收藏
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2019/11/19
Gate drivers
Integrated circuit reliability
MOS-FET
Series connections
SiC MOSFET
Solid State Circuit Breaker
Voltage balancing
Wide band gap devices
基于任务剖面的光伏逆变器综合寿命预测
期刊论文
太阳能学报, 2019, 期号: 10
作者:
刘悦遐
;
黄萌
;
刘懿
;
查晓明
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/12/05
光伏逆变器
寿命预测
二重傅里叶级数
功率MOSFET
电解电容
Prediction of Stable and High-Performance Charge Transport in Zigzag Tellurene Nanoribbons
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019, 卷号: 66, 期号: 5
作者:
Lv, Yawei
;
Liu, Yuan
;
Qin, Wenjing
;
Chang, Sheng
;
Jiang, Changzhong
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/12/05
Current density
edge saturation
first principles
MOSFET
tellurene nanoribbon (TNR)
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