QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Investigation of Coulomb scattering on sSi/Si0.5Ge0.5/sSOI quantum-well p-MOSFETs 期刊论文 JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2016, 卷号: 37 作者:  Wen Jiao[1];  Liu Qiang[2];  Liu Chang[3];  Wang Yize[4];  Zhang Bo[5] 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/26 SiGe  quantum-well  hole mobility  Coulomb scattering   Ion-sensitive field-effect transistor with sSi/Si0.5Ge0.5/sSOI quantum-well for high voltage sensitivity 期刊论文 MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2016, 卷号: 163, 页码: 115-118 作者:  Wen, Jiao[1];  Liu, Qiang[2];  Liu, Chang[3];  Wang, Yize[4];  Zhang, Bo[5] 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/04/26 SiGe  Quantum-well  Ion-sensitive field-effect transistor  Voltage sensitivity   Catalyst-free approach for growth of graphene sheets on high-density silica nanowires by CVD 期刊论文 MATERIALS LETTERS, 2016, 卷号: 162, 页码: 165-168 作者:  Wang, Ziwen[1];  Xue, Zhongying[2];  Wang, Gang[3];  Dai, Jiayun[4];  Zheng, Xiaohu[5] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/26 Graphene  Silica nanowire  Chemical vapor deposition  Carbon materials   High performance strained Si0.5Ge0.5 quantum-well p-MOSFETs fabricated using a high-kappa/metal-gate last process 期刊论文 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2015, 卷号: 83, 页码: 210-215 作者:  Liu, Chang[1];  Wen, Jiao[2];  Yu, Wenjie[3];  Zhang, Bo[4];  Xue, Zhongying[5] 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/04/26 SiGe  Quantum-well  Gate-last  Hole mobility