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	Transition from Photoconductivity to Photovoltaic Effect in P3HT/CuInSe2 Composites 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2012, 卷号: 116, 期号: 13, 页码: 7280-7286 作者: Yang, Yang; Zhong, Haizheng; Bai, Zelong; Zou, Bingsuo; Li, Yongfang 收藏 \| 浏览/下载：24/0 \| 提交时间：2019/04/09
	Variation of optical quenching of photoconductivity with resistivity in unintentional doped gan 期刊论文 Chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 5, 页码: 4 作者: Hou Qi-Feng; Wang Xiao-Liang; Xiao Hong-Ling; Wang Cui-Mei; Yang Cui-Bai 收藏 \| 浏览/下载：16/0 \| 提交时间：2019/05/12
	Variation of Optical Quenching of Photoconductivity with Resistivity in Unintentional Doped GaN 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2010, 卷号: 27, 期号: 5, 页码: 4 作者: Hou Qi-Feng; Wang Xiao-Liang; Xiao Hong-Ling; Wang Cui-Mei; Yang Cui-Bai 收藏 \| 浏览/下载：22/0 \| 提交时间：2021/02/02
	Variation of Optical Quenching of Photoconductivity with Resistivity in Unintentional Doped GaN 期刊论文 chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 5, 页码: art. no. 057104 Hou QF (Hou Qi-Feng); Wang XL (Wang Xiao-Liang); Xiao; HL (Xiao Hong-Ling); Wang CM (Wang Cui-Mei); Yang CB (Yang Cui-Bai); Li JM (Li Jin-Min) 收藏 \| 浏览/下载：255/64 \| 提交时间：2010/05/24 N-TYPE GAN DEEP LEVELS SELENIDE DEFECTS
	Investigation of optical quenching of photoconductivity in high-resistivity GaN epilayer 期刊论文 journal of crystal growth, 2007, 卷号: 298 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 800-803 Fang CB (Fang Cebao); Wang XL (Wang Xiaoliang); Xiao HL (Xiao Hongling); Hu GX (Hu Guoxin); Wang CM (Wang Cuimei); Wang XY (Wang Xiaoyan); Li JP (Li Jianping); Wang JX (Wang Junxi); Li CJ (Li Chengji); Zeng YP (Zeng Yiping); Li JM (Li Jinmin); Wang ZG (Wang Zanguo) 收藏 \| 浏览/下载：34/0 \| 提交时间：2010/03/29 deep defect
	Investigation of optical quenching of photoconductivity in high-resistivity gan epilayer 期刊论文 Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 298, 页码: 800-803 作者: Fang, Cebao; Wang, Xiaoliang; Xiao, Hongling; Hu, Guoxin; Wang, Cuimei 收藏 \| 浏览/下载：17/0 \| 提交时间：2019/05/12 Deep defect Optical quenching Mocvd Gan
	Interband and intraband photocurrent of self-assembled InAs/InAlAs/InP nanostructures 期刊论文 nanotechnology, 2005, 卷号: 16, 期号: 12, 页码: 2785-2789 作者: Jin P; Xu B 收藏 \| 浏览/下载：53/0 \| 提交时间：2010/04/11 DOT INFRARED PHOTODETECTORS INAS/GAAS QUANTUM DOTS ROOM-TEMPERATURE SPECTROSCOPY PHOTOCONDUCTIVITY HETEROSTRUCTURES TRANSITIONS LASERS WELLS INP
	Hydrogenated amorphous silicon films with significantly improved stability 期刊论文 solar energy materials and solar cells, 2001, 卷号: 68, 期号: 1, 页码: 123-133 Sheng SR; Liao XB; Ma ZX; Yue GZ; Wang YQ; Kong GL 收藏 \| 浏览/下载：50/0 \| 提交时间：2010/08/12 amorphous silicon stability A-SI-H CONSTANT PHOTOCURRENT METHOD PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY URBACH EDGE SOLAR-CELLS GAP STATES ABSORPTION DENSITY SPECTROSCOPY INCREASE
	Fabrication and characterization of metal-semiconductor-metal (msm) ultraviolet photodetectors on undoped gan/sapphire grown by mbe 期刊论文 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 1, 页码: 1-6 作者: Xu, HZ; Wang, ZG; Kawabe, M; Harrison, I; Ansell, BJ 收藏 \| 浏览/下载：31/0 \| 提交时间：2019/05/12 Gan Photoluminescence Optical quenching of photoconductivity Native defect level Molecular beam epitaxy
	Photoluminescence and optical quenching of photoconductivity studies on undoped gan grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 217, 期号: 3, 页码: 228-232 作者: Xu, HZ; Wang, ZG; Harrison, I; Bell, A; Ansell, BJ 收藏 \| 浏览/下载：29/0 \| 提交时间：2019/05/12 Gan Photoluminescence Optical quenching of photoconductivity Native defect level Molecular beam epitaxy

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