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科研机构
半导体研究所 [11]
上海微系统与信息技术... [3]
华中师范大学 [1]
内容类型
期刊论文 [13]
会议论文 [1]
学位论文 [1]
发表日期
2019 [1]
2011 [1]
2008 [3]
2007 [2]
2006 [2]
2003 [1]
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MoOx/Au Schottky-Gated Field-Effect Transistors and Their Fast Inverters
期刊论文
Advanced Electronic Materials, 2019, 卷号: 5, 期号: 8, 页码: -
作者:
Lan, Yang
;
Hu, Chao
;
Deng, Hui
;
Sun, Lulu
;
Yuan, Shengjie
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/23
dual-gates (DG)
metal-semiconductor field-effect transistors (MESFETs)
molybdenum disulfide (MoS2)
schottky gates (SG)
Quantum mechanical simulation of electronic transport in nanostructured devices by efficient self-consistent pseudopotential calculation
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: article no.54503
作者:
Jiang XW
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浏览/下载:50/2
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提交时间:2011/07/05
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
SEMICONDUCTOR-DEVICES
SILICON DEVICES
MONTE-CARLO
MOSFETS
NANOTRANSISTORS
APPROXIMATION
EQUATIONS
DESIGN
MODELS
Fabrication of improved FD SOIMOSFETs for suppressing edge effect
会议论文
9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008
Wang, N
;
Li, N
;
Liu, ZL
;
Yu, F
;
Li, GH
收藏
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浏览/下载:38/0
  |  
提交时间:2010/03/09
SOI
MOSFET
A fully three-dimensional atomistic quantum mechanical study on random dopant-induced effects in 25-nm MOSFETs
期刊论文
ieee transactions on electron devices, 2008, 卷号: 55, 期号: 7, 页码: 1720-1726
Jiang, XW
;
Deng, HX
;
Luo, JW
;
Li, SS
;
Wang, LW
收藏
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浏览/下载:153/1
  |  
提交时间:2010/03/08
dopant fluctuation
linear combination of bulk band (LCBB)
MOSFET
quantum mechanical
threshold
3-D
Tuning of plasmon propagation in two-dimensional electrons
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 25, 页码: art. no. 251501
Li C
;
Wu XG
收藏
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浏览/下载:224/75
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提交时间:2010/03/08
field effect transistors
plasmons
semiconductor heterojunctions
spin-orbit interactions
two-dimensional electron gas
High-performance logic circuits constructed on single cds nanowires
期刊论文
Nano letters, 2007, 卷号: 7, 期号: 11, 页码: 3300-3304
作者:
Ma, Ren-Min
;
Dai, Lun
;
Huo, Hai-Bin
;
Xu, Wan-Jin
;
Oin, G. G.
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/05/12
High-performance nano-schottky diodes and nano-mesfets made on single cds nanobelts
期刊论文
Nano letters, 2007, 卷号: 7, 期号: 4, 页码: 868-873
作者:
Ma, Ren-Min
;
Dai, Lun
;
Qin, Guo-Gang
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
ZnMgO纳米薄膜在MOSFET和透明TFT中的应用
学位论文
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2006
梁军
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2012/03/06
ZnMgO
高κ材料
宽禁带半导体
MOSFET
薄膜晶体管
Molecular beam epitaxy InAs dot arrays on InGaAs/GaAs
期刊论文
nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 23, 页码: 5846-5850
Jiao YH (Jiao Y. H.)
;
Wu J (Wu J.)
;
Xu B (Xu B.)
;
Jin P (Jin P.)
;
Hu LJ (Hu L. J.)
;
Liang LY (Liang L. Y.)
;
Ren YY (Ren Y. Y.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
收藏
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浏览/下载:105/0
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提交时间:2010/04/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
QUANTUM-DOTS
SELF-ORGANIZATION
ISLANDS
NANOSTRUCTURES
SUPERLATTICES
GROWTH
SURFACE
GAAS(100)
Microstructural and electrical properties of ZrO2 thin films prepared on silicon on insulator with thin top silicon
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2003, 卷号: 20, 期号: 2, 页码: 273-276
Zhang, NL
;
Song, ZT
;
Shen, QW
;
Lin, CL
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2012/03/24
FIELD-EFFECT-TRANSISTORS
K GATE DIELECTRICS
THERMAL-STABILITY
RELIABILITY
SI
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