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期刊论文 [15]
发表日期
2018 [1]
2012 [2]
2011 [2]
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Dislocation-related photoluminescence of GeSn films grown on Ge (001) substrates by molecular beam epitaxy
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 卷号: 33, 期号: 12, 页码: 125022
作者:
Yang, Xinju
;
Jia QJ(贾全杰)
;
Jiang, Zuimin
;
Jia, Quanjie
;
Zhong, Zhenyang
收藏
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2019/10/11
GeSn
dislocation-related photoluminescence
molecular beam epitaxy
microstructure
x-ray diffraction reciprocal space mapping
Epitaxial growth of thick Ge layers with low dislocation density on silicon substrate by UHV/CVD
期刊论文
2012
Chen Cheng-Zhao
;
Zheng Yuan-Yu
;
Huang Shi-Hao
;
Li Cheng
;
Lai Hong-Kai
;
赖洪凯
;
Chen Song-Yan
;
陈松岩
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2013/04/15
Ge
epitaxial
UHVCVD
photoluminescence
硅基低位错密度厚锗外延层的UHV/CVD法生长
期刊论文
2012
陈城钊
;
郑元宇
;
黄诗浩
;
李成
;
赖虹凯
;
陈松岩
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
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提交时间:2016/05/17
Ge
外延生长
UHV/CVD
光致发光谱
Ge
epitaxial
UHVCVD
photoluminescence
Cathodoluminescence of yellow and blue luminescence in undoped semi-insulating gan and n-gan
期刊论文
Chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 4
作者:
Hou Qi-Feng
;
Wang Xiao-Liang
;
Xiao Hong-Ling
;
Wang Cui-Mei
;
Yang Cui-Bai
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
Cathodoluminescence of Yellow and Blue Luminescence in Undoped Semi-insulating GaN and n-GaN
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: article no.37102
Hou QF
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Yang CB
;
Yin HB
;
Li JM
;
Wang ZG
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浏览/下载:40/4
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提交时间:2011/07/05
EPITAXIAL LAYERS
PHOTOLUMINESCENCE
ABSORPTION
CARBON
BAND
Optical analysis of dislocation-related physical processes in gan-based epilayers
期刊论文
Physica status solidi b-basic solid state physics, 2007, 卷号: 244, 期号: 8, 页码: 2878-2891
作者:
Jiang, De-Sheng
;
Zhao, De-Gang
;
Yang, Hui
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/05/12
Role of edge dislocations in enhancing the yellow luminescence of n-type gan
期刊论文
Applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 24, 页码: 3
作者:
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
;
Zhang, SM
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Role of edge dislocations in enhancing the yellow luminescence of n-type GaN
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 24, 页码: art.no.241917
作者:
Jiang DS
;
Zhu JJ
;
Li XY
;
Zhang SM
;
Zhao DG
收藏
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/04/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
X-RAY-DIFFRACTION
MG-DOPED GAN
UNDOPED GAN
PHOTOLUMINESCENCE BANDS
THREADING DISLOCATIONS
POSITRON-ANNIHILATION
GROWTH STOICHIOMETRY
GALLIUM NITRIDE
Temperature and pressure dependences of the copper-related green emission in ZnO microrods
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 1, 页码: art.no.013107
Su FH (Su F. H.)
;
Liu YF (Liu Y. F.)
;
Chen W (Chen W.)
;
Wang WJ (Wang W. J.)
;
Ding K (Ding K.)
;
Li GH (Li G. H.)
;
Joly AG (Joly A. G.)
;
McCready DE (McCready D. E.)
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2010/04/11
ZINC-OXIDE
OPTICAL-PROPERTIES
PHOTOLUMINESCENCE
LUMINESCENCE
IMPURITIES
NANOWIRES
SAPPHIRE
GROWTH
BAND
CU
Photoluminescence investigation of two-dimensional electron gas in an undoped alxga1-xn/gan heterostructure
期刊论文
Chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 2096-2099
作者:
Han, XX
;
Wu, JJ
;
Li, JM
;
Cong, GW
;
Liu, XL
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2019/05/12
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