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Bias dependence of total ionizing dose effects in 22 nm bulk nFinFETs
期刊论文
RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2022, 卷号: 177, 期号: 3-4, 页码: 372-382
作者:
Cui, X (Cui, Xu) [1] , [2] , [3]
;
Cui, JW (Cui, Jiang-Wei) [1] , [2] , [3]
;
Zheng, QW (Zheng, Qi-Wen) [1] , [2] , [3]
;
Wei, Y (Wei, Ying) [1] , [2] , [3]
;
Li, YD (Li, Yu-Dong) [1] , [2] , [3]
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2022/06/21
FinFET
1/f noise
TlD
CVS
bias dependence
Modeling and Mechanism of Enhanced Performance of In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors with Nanometer Thicknesses under Temperature Stress
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2020, 卷号: 124, 期号: 41, 页码: 22793-22798
作者:
Dai, Chaoqi
;
Qi, Guoqiang
;
Qiao, Hai
;
Wang, Weiliang
;
Xiao, Han
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2020/12/16
HYSTERESIS
EXTRACTION
Research on Radiation-Induced Threshold Voltage Shifts in Power MOSFET Based on Charge-Pumping Method
会议论文
作者:
Ding Y(丁艳)
;
Wang LX(王立新)
;
Zhang YF(张彦飞)
;
Liu MX(刘梦新)
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/05/13
The Increased Single-Event Upset Sensitivity of 65-nm DICE SRAM Induced by Total Ionizing Dose
会议论文
Geneva, SWITZERLAND, OCT 02-06, 2017
作者:
Zheng, Qiwen
;
Cui, Jiangwei
;
Lu, Wu
;
Guo, Hongxia
;
Liu, Jie
收藏
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2018/10/08
Charge sharing
single-event upset (SEU)
static random access memory
total ionizing dose (TID)
Influences of total ionizing dose on single event effect sensitivity in floating gate cells
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 086103
作者:
Zhao, Pei-Xiong
;
Liu, Tian-Qi
;
Ye, Bing
;
Luo, Jie
;
Sun, You-Mei
收藏
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2018/10/08
flash memories
heavy ions
synergistic effect
total ionizing dose
The Increased Single-Event Upset Sensitivity of 65-nm DICE SRAM Induced by Total Ionizing Dose
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 8, 页码: 1920-1927
作者:
Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1 ]
;
Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1 ]
;
Lu, W (Lu, Wu)[ 1 ]
;
Guo, HX (Guo, Hongxia)[ 1 ]
;
Liu, J (Liu, Jie)[ 2 ]
收藏
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2018/09/27
Charge Sharing
Single-event Upset (Seu)
Static Random Access Memory
Total Ionizing Dose (Tid)
Characterization of Transient Threshold Voltage Shifts in Enhancement-and Depletion-mode AlGaN/GaN Metal-Insulator-Semiconductor (MIS)-HEMTs
会议论文
作者:
Cui, Miao
;
Cai, Yutao
;
Lam, Sang
;
Liu, Wen
;
Zhao, Chun
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/11/26
AlGaN/GaN MIS-HEMTs
Frequency dependence
Frequency independent
High-voltage switching
Metal-insulator-semiconductors
MIS-HEMT
Threshold voltage shifts
Voltage hysteresis
An Amidine-Type n-Dopant for Solution-Processed Field-Effect Transistors and Perovskite Solar Cells
期刊论文
ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2017, 卷号: 27, 期号: 41
作者:
Hu, Lin
;
Liu, Tiefeng
;
Duan, Jiashun
;
Ma, Xiaoyi
;
Ge, Congwu
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2018/01/15
Doping
1
Electron Transfer
8-diazabicyclo[5.4.0] Undec-7-ene (Dbu)
Field-effect Transistors
Perovskite Solar Cells
Total ionizing radiation effects of 2-T SONOS for 130 nm/4 Mb NOR flash memory technology
期刊论文
2016, 2016
QIAO FengYing
;
PAN LiYang
;
YU Xiao
;
MA HaoZhi
;
WU Dong
;
XU Jun
;
QIAO FengYing
;
PAN LiYang
;
YU Xiao
;
MA HaoZhi
;
WU Dong
;
XU Jun
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浏览/下载:4/0
Low frequency noise and radiation response in the partially depleted SOI MOSFETs with ion implanted buried oxide
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 8, 页码: 1-6
作者:
Liu, Y (Liu Yuan)
;
Chen, HB (Chen Hai-Bo)
;
Liu, YR (Liu Yu-Rong)
;
Wang, X (Wang Xin)
;
En, YF (En Yun-Fei)
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2018/01/25
SilicOn On Insulator
Ion implantatIon
Ionizing Radiation
Low Frequency Noise
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