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An investigation of FinFET single-event latch-up characteristic and mitigation method 期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2020, 卷号: 114, 页码: 8
作者:  Li, Dongqing;  Liu, Tianqi;  Wu, Zhenyu;  Cai, Chang;  Zhao, Peixiong
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2021/12/13
TCAD  FinFET  SCR  SEL  
背照式CMOS图像传感器的累积辐射效应研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  张翔
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2020/11/19
130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  席善学
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/07/15
An Effective Method of Reducing TSV Thermal Stress by STI 会议论文
2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC), 2019-01-01
作者:  Wang, Fengjuan;  Qu, Xiaoqing;  Yu, Ningmei
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/20
Comparison of holes trapping and protons transport induced by low dose rate gamma radiation in oxide on different SiGe processes 期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 103, 期号: 12, 页码: 1-5
作者:  Li, P (Li, Pei)[ 1 ];  He, CH (He, ChaoHui)[ 1 ];  Guo, HX (Guo, HongXia)[ 2,3 ];  Zhang, JX (Zhang, JinXin)[ 4 ];  Li, YH (Li, YongHong)[ 1 ]
收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2020/01/10
Total Ionizing Dose Response and Annealing Behavior of Bulk nFinFETs With ON-State Bias Irradiation 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 8, 页码: 1503-1510
作者:  Yang, L (Yang, Ling)[ 1,2 ];  Zhang, QZ (Zhang, Qingzhu)[ 1,3 ];  Huang, YB (Huang, Yunbo)[ 1,2 ];  Zheng, ZS (Zheng, Zhongshan)[ 1,2 ];  Li, B (Li, Bo)[ 1,2 ]
收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2018/09/18
Total ionizing dose effects in pinned photodiode complementary metal-oxide-semiconductor transistor active pixel sensor 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 10, 页码: 1-5
作者:  Ma, LD (Ma, Lin-Dong)[ 1,2,3 ];  Li, YD (Li, Yu-Dong)[ 1,2 ];  Wen, L (Wen, Lin)[ 1,2 ];  Feng, J (Feng, Jie)[ 1,2 ];  Zhang, X (Zhang, Xiang)[ 1,2,3 ]
收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2018/11/20
γ射线和电子束对SOI MOSFET栅介质可靠性影响研究 学位论文
北京: 中国科学院大学, 2017
作者:  苏丹丹
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/09/26
γ射线和电子束对SOI MOSFET栅介质可靠性影响研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2017
作者:  苏丹丹
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2017/09/26
Dose-rate sensitivity of deep sub-micro complementary metal oxide semiconductor process 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 卷号: 65, 期号: 7
作者:  Zheng, QW (Zheng Qi-Wen);  Cui, JW (Cui Jiang-Wei);  Wang, HN (Wang Han-Ning);  Zhou, H (Zhou Hang);  Yu, DZ (Yu De-Zhao)
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2016/12/12

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