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A NAND-SPIN-Based Magnetic ADC
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS II-EXPRESS BRIEFS, 2021, 卷号: 68, 期号: 2, 页码: 617-621
作者:
Wu, Bi
;
Wang, Zhaohao
;
Li, Yuxuan
;
Wang, Ying
;
Liu, Dijun
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2021/12/01
Switches
Resistance
Reliability
Magnetic tunneling
Tunneling magnetoresistance
Sensors
Magnetic devices
Magnetic ADC
NAND-SPIN
multiple switching thresholds
CrI3/Y2CH2Heterointerface-Induced Stable Half-Metallicity of Two-Dimensional CrI3Monolayer Ferromagnets
期刊论文
ACS Applied Materials and Interfaces, 2021, 卷号: 13, 期号: 14, 页码: 16694-16703
作者:
G. Wang
;
W. Qin
;
S. Wang
;
B. S. Teketel
;
W. Yu
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2022/06/13
High-performance magnetic tunnel junctions based on two-dimensional Bi2O2Se
期刊论文
JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS, 2021, 卷号: 539, 页码: 168346
作者:
Liu, Hao
;
Wang, Pan
;
Pan, Longfei
;
Wen, Hongyu
;
Liu, Yueyang
;
Wu, Haibin
;
Zong, Yixin
;
Jiang, Xiangwei
;
Wei, Zhongming
;
Xia, Jianbai
收藏
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2022/03/23
Field-Free 3T2SOT MRAM for Non-Volatile Cache Memories
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS I-REGULAR PAPERS, 2020, 卷号: 67, 期号: 12, 页码: 4660-4669
作者:
Wu, Bi
;
Wang, Chao
;
Wang, Zhaohao
;
Wang, Ying
;
Zhang, Deming
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2021/12/01
Random access memory
Magnetic tunneling
Switches
Reliability
Tunneling magnetoresistance
Metals
Transistors
SOT-MRAM
low power
high speed
high reliability
Radiation impact of swift heavy ion beams on double-interface CoFeB/MgO magnetic tunnel junctions
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2020, 卷号: 116, 期号: 17, 页码: 5
作者:
Wang, Bi
;
Wang, Zhaohao
;
Du, Ao
;
Qiang, You
;
Cao, Kaihua
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2022/01/18
Large spin Hall effect and tunneling magnetoresistance in iridium-based magnetic tunnel junctions
期刊论文
Science China: Physics, Mechanics and Astronomy, 2020, 卷号: 63
作者:
Zhou, JiaQi
;
Zhou, HangYu
;
Bournel, Arnaud
;
Zhao, WeiSheng
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2019/12/30
Heavy ion irradiation induced hard error in MTJ of the MRAM memory array
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 100, 页码: 7
作者:
Zhao, P. X.
;
Liu, T. Q.
;
Cai, C.
;
Li, D. Q.
;
Ji, Q. G.
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2022/01/19
MTJ damage
Heavy ion
Displacement damage
Hard bit error
Annealing effect
Large magnetoresistance and spin-polarized photocurrent in La2/3Sr1/3MnO3(Co)/quaterthiophene/La2/3Sr1/3MnO3 organic magnetic tunnel junctions
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2019, 卷号: Vol.7 No.14, 页码: 4079-4088
作者:
Han, X.a
;
Mi, W.a
;
Wang, X.b
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/11/21
Ferroelectric FETs-Based Nonvolatile Logic-in-Memory Circuits
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON VERY LARGE SCALE INTEGRATION (VLSI) SYSTEMS, 2019, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 159-172
作者:
Chen, Xiaoming
;
Niemier, Michael
;
Hu, Xiaobo Sharon
;
Yin, Xunzhao
收藏
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浏览/下载:70/0
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提交时间:2019/04/03
Ferroelectric FET (FeFET)
logic-in-memory (LiM)
nonvolatile (NV) memory
Memristive Synapses for Brain-Inspired Computing
期刊论文
ADVANCED MATERIALS TECHNOLOGIES, 2019, 卷号: 4, 期号: 3
作者:
Wang, Jingrui
;
Zhuge, Fei
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2019/12/18
RESISTIVE-SWITCHING MEMORY
MAGNETIC TUNNEL-JUNCTIONS
LONG-TERM POTENTIATION
PHASE-CHANGE MEMORY
RRAM DEVICES
SYNAPTIC PLASTICITY
CONDUCTANCE LINEARITY
ELECTRONIC SYNAPSES
IMPLEMENTATION
SYSTEM
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