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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2018     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The Impacts of Heavy Ion Energy on Single Event Upsets in SOI SRAMs 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 页码: 1091-1100 作者:  Gu, Song;  Liu, Jie;  Bi, Jinshun;  Zhao, Fazhan;  Zhang, Zhangang 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2018/07/16 Energy dependence  heavy ions  nuclear reactions  silicon-on-insulator (SOI) technology  single event upset (SEU)   Threshold voltage model of total ionizing irradiated short-channel FD-SOI MOSFETs with Gaussian doping profile 期刊论文 IEEE Transactions on Nuclear Science, 2018, 卷号: 65, 页码: 2679-2690 作者:  Huang, Huixiang;  Wei, Sufen;  Pan, Jinyan;  Xu, Wenbin;  Chen, Chi-Cheng 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/11/26 Gaussians  Integrated circuit modeling  Interface traps  MOS-FET  Short-channel effect  Silicon on insulator (SOI)  Threshold voltage modeling  Total dose radiation   Research of a Novel Ultra-High Pressure Sensor with High-Temperature Resistance 期刊论文 MICROMACHINES, 2018, 卷号: 9 作者:  Zhang, Guo-Dong;  Zhao, Yu-Long;  Zhao, Yun;  Wang, Xin-Chen;  Wei, Xue-Yong 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/11/26 high-temperature resistance  microelectromechanical systems (MEMS) technology  silicon-on-insulator (SOI) piezoresistive element  small size  ultra-high pressure sensor   Exploring Hybrid STT-MTJ/CMOS Energy Solution in Near-/Sub-Threshold Regime for IoT Applications 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, 2018, 卷号: 54 作者:  Cai, Hao;  Wang, You;  Naviner, Lirida Alves de Barros;  Yang, Jun;  Zhao, Weisheng 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/30 Flip-flop (FF)  forward back bias (FBB)  fully depleted silicon on insulator (FD-SOI)  magnetic tunnel junction (MTJ)/CMOS integration  near-/sub-threshold  ultralow power