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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Exciton emission of quasi-2D InGaN in GaN matrix grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 Scientific Reports, 2017, 卷号: 7, 页码: 46420 作者:  Dingyu Ma;  Xin Rong;  Xiantong Zheng;  Weiying Wang;  Ping Wang 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2018/05/23 High-Output-Power Ultraviolet Light Source from Quasi-2D GaN Quantum Structure 期刊论文 adv mater, 2016, 卷号: 28, 期号: 36, 页码: 7978-7983 Xin Rong; Xinqiang Wang; Sergey V. Ivanov; Xinhe Jiang; Guang Chen; Ping Wang; Weiying Wang; Chenguang He; Tao Wang; Tobias Schulz; Martin Albrecht; Valentin N. Jmerik; Alexey A. Toropov; Viacheslav V. Ratnikov; Vladimir I. Kozlovsky; Victor P. Martovitsky; Peng Jin; Fujun Xu; Xuelin Yang; Zhixin Qin; Weikun Ge; Junjie Shi; and Bo Shen 收藏  |  浏览/下载：70/0  |  提交时间：2017/03/10 Indium Compositional Homogeneity in In0.17Al0.83N Epilayers Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition 期刊论文 applied physics express, 2012, 卷号: 5, 期号: 10, 页码: 101002 Wang JM (Wang, Jiaming); Xu FJ (Xu, Fujun); Huang CC (Huang, Chengcheng); Xu ZY (Xu, Zhengyu); Zhang X (Zhang, Xia); Wang Y (Wang, Yan); Ge WK (Ge, Weikun); Wang XQ (Wang, Xinqiang); Yang ZJ (Yang, Zhijian); Shen B (Shen, Bo); Li W (Li, Wei); Wang WY (Wang, Weiying); Jin P (Jin, Peng) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/03/27 Characteristics of high al content algan grown by pulsed atomic layer epitaxy 期刊论文 Applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 20, 页码: 8718-8721 作者:  Pan, Xu;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Yang, Cuibai 收藏  |  浏览/下载：173/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoluminescence  Raman scattering  Pulsed atomic layer epitaxy  Algan alloys