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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 3D NAND存储器串列功能单元的可靠性研究 学位论文 : 中国科学院大学, 2019 作者:  邹兴奇 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/09/06 The Optimization of Gate All Around-L-Shaped Bottom Select Transistor in 3D NAND Flash Memory 期刊论文 Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2018 作者:  Huo ZL(霍宗亮);  Xia ZL(夏志良);  Chen GX(陈国星);  Zhang Y(张瑜);  Jiang DD(姜丹丹) 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/05/22 A Novel Program Scheme for Program Disturbance Optimization in 3-D NAND Flash Memory 期刊论文 IEEE Electron Device Letters, 2018 作者:  Huo ZL(霍宗亮);  An Zhang;  Hongtao Liu;  Zou XQ(邹兴奇);  Jin L(靳磊) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/22 Investigation of Cycling-Induced Dummy Cell Disturbance in 3D NAND Flash Memory 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018 作者:  Huo ZL(霍宗亮);  Chen GX(陈国星);  Zhang Y(张瑜);  Jiang DD(姜丹丹);  Jin L(靳磊) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/22 Impact of Critical Geometry Dimension on Channel Boosting Potential in 3D NAND Memory 会议论文 作者:  Huo ZL(霍宗亮);  Tang ZY(唐兆云);  Xu Q(徐强);  Hong PZ(洪培真);  Zou XQ(邹兴奇) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/05/12 Simulation On Threshold Voltage Of L-Shaped Bottom Select Transistor In 3D NANDFlash Memory 会议论文 作者:  Huo ZL(霍宗亮);  Tang ZY(唐兆云);  Hong PZ(洪培真);  Xu Q(徐强);  Zou XQ(邹兴奇) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2017/05/12 String Select Transistor Leakage Suppression By Threshold Voltage Modulation In 3DNAND Flash Memory 会议论文 作者:  Huo ZL(霍宗亮);  Tang ZY(唐兆云);  Hong PZ(洪培真);  Xu Q(徐强);  Li DH(李东华) 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2017/05/12 Performance Enhancement of Metal Floating Gate Memory By Using a Bandgap Engineered High-k Tunneling Barrier 会议论文 作者:  Huo ZL(霍宗亮);  Tang ZY(唐兆云);  Zhang Y(张瑜);  Zou XQ(邹兴奇);  Chen GX(陈国星) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2017/05/12