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	Impact of Critical Geometry Dimension on Channel Boosting Potential in 3D NAND Memory
	Huo ZL(霍宗亮); Tang ZY(唐兆云); Xu Q(徐强); Hong PZ(洪培真); Zou XQ(邹兴奇); Zhang Y(张瑜); Jin L(靳磊); Xia ZL(夏志良); Jiang DD(姜丹丹)
	2016-10-25
文献子类	会议论文
内容类型	会议论文
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/16295]
专题	微电子研究所_存储器研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	Huo ZL,Tang ZY,Xu Q,et al. Impact of Critical Geometry Dimension on Channel Boosting Potential in 3D NAND Memory[C]. 见:.

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