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科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
会议论文 [6]
发表日期
2004 [1]
2000 [1]
1998 [2]
1997 [2]
学科主题
半导体材料 [3]
半导体物理 [3]
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Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures
会议论文
international conference on materials for advanced technologies, singapore, singapore, dec 07-12, 2003
作者:
Han PD
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浏览/下载:83/1
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提交时间:2010/10/29
metalorganic chemical vapor deposition
semiconducting III-V materials
DOPED AL(X)GA1-XN/GAN HETEROSTRUCTURES
CARRIER CONFINEMENT
EFFECT TRANSISTORS
PHOTOLUMINESCENCE
MOBILITY
HETEROJUNCTION
INTERFACE
HFETS
Indium-doping enhanced two-dimensional-electron-gas performance in AlGaN/GaN heterostructures
会议论文
international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000
作者:
Han PD
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/10/29
AlGaN/GaN heterostructures
In-doping
2DEG
electron sheet density
X-ray diffraction
etching
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHASE EPITAXY
MOBILITY
GROWTH
FILMS
Growth and characterization of GaN on LiGaO2
会议论文
9th international conference on metalorganic vpour phase epitaxy (icmovpe-ix), la jolla, california, may 31-jun 04, 1998
作者:
Han PD
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/15
DIODES
Growth and characterization of GaN on LiGaO2 and LiAlO2
会议论文
2nd international symposium on blue laser and light emitting diodes (2nd isblled), chiba, japan, sep 29-oct 02, 1998
作者:
Han PD
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/10/29
DIODES
Influence of interdot electronic coupling on photoluminescence spectra of self-assembled InAs/GaAs quantum dots
会议论文
10th international conference on superlattices, microstructures and microdevices, lincoln, nebraska, jul 08-11, 1997
作者:
Han PD
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/15
GAAS
GROWTH
Material transport in self-assembled InAs/GaAs quantum dot ensemble
会议论文
10th international conference on superlattices, microstructures and microdevices, lincoln, nebraska, jul 08-11, 1997
作者:
Han PD
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/15
GROWTH
TRANSITION
GAAS
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