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| 一种碳化硅MOSFET沟道自对准工艺实现方法 专利
专利号: CN201510564659.4, 申请日期: 2018-07-20, 公开日期: 2015-11-18
作者: 彭朝阳; 刘新宇 ; 刘国友; 李诚瞻; 汤益丹
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| 碳化硅MOSFET器件及其制作方法 专利
专利号: CN201510574417.3, 申请日期: 2018-03-23, 公开日期: 2015-12-16
作者: 李诚瞻; 汤益丹; 申华军; 白云; 周静涛
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| 一种氧化硅的各向异性湿法腐蚀工艺中控制倾角的方法 专利
专利号: CN201510702260.8, 申请日期: 2018-03-06, 公开日期: 2016-01-06
作者: 汤益丹; 白云; 李诚瞻; 刘新宇; 刘国友
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| 一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法 专利
专利号: CN201210483461.X, 申请日期: 2015-12-09, 公开日期: 2013-03-27
作者: 史晶晶; 白云; 刘可安; 申华军; 汤益丹
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| 一种电子束对准标记的制作方法 专利
专利号: CN200710121502.X, 申请日期: 2010-09-15, 公开日期: 2009-03-11
作者: 郑英奎; 李诚瞻; 黄俊; 刘果果; 和致经
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| 一种制作氮化镓基场效应晶体管的方法 专利
专利号: CN200710179353.2, 申请日期: 2010-04-14, 公开日期: 2009-06-17
作者: 李诚瞻; 郑英奎; 魏珂; 刘键; 刘新宇
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| 一种提高氮化镓基场效应晶体管性能的方法 专利
专利号: CN200710175969.2, 申请日期: 2010-03-17, 公开日期: 2009-04-22
作者: 刘果果; 和致经; 黄俊; 王冬冬; 郑英奎
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| 一种氮化镓基场效应管及其制作方法 专利
专利号: CN200610127867.9, 申请日期: 2009-06-24, 公开日期: 2008-03-26
作者: 李诚瞻; 刘键; 刘新宇; 刘果果; 郑英奎
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| 氮化镓基场效应管及其制备方法 专利
专利号: CN200810240270.4, 公开日期: 2009-05-27
作者: 刘新宇; 李诚瞻; 魏珂; 郑英奎; 刘果果
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| SiC衬底的减薄方法 专利
专利号: CN201110146097.3, 公开日期: 2011-10-12
作者: 李诚瞻; 刘新宇; 魏珂; 黄俊; 刘果果
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