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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Insight into the photoelectron angular dependent energy distribution of negative-electron-affinity InP photocathodes 期刊论文 applied physics letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 2, 页码: 021120 Chen, ZH; Jiang, XW; Dong, S; Li, JB; Li, SS; Wang, LW 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2015/03/25 An efficient atomistic quantum mechanical simulation on InAs band-to-band tunneling field-effect transistors 期刊论文 applied physics letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 12, 页码: 123504 Wang, Z; Jiang, XW; Li, SS; Wang, LW 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2015/04/02 Enhancement of band-to-band tunneling in mono-layer transition metal dichalcogenides two-dimensional materials by vacancy defects 期刊论文 applied physics letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 2, 页码: 023512 Jiang, XW; Gong, J; Xu, N; Li, SS; Zhang, JF; Hao, Y; Wang, LW 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2015/03/25 A comparative study for quantum transport calculations of nanosized field-effect transistors 期刊论文 solid-state electronics, 2012, 卷号: 68, 页码: 56-62 Jiang, XW; Li, SS; Wang, LW 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/03/17 Quantum mechanical simulation of electronic transport in nanostructured devices by efficient self-consistent pseudopotential calculation 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: article no.54503 作者:  Jiang XW 收藏  |  浏览/下载：50/2  |  提交时间：2011/07/05 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  SEMICONDUCTOR-DEVICES  SILICON DEVICES  MONTE-CARLO  MOSFETS  NANOTRANSISTORS  APPROXIMATION  EQUATIONS  DESIGN  MODELS   Quantum mechanical simulation of nanosized metal-oxide-semiconductor field-effect transistor using empirical pseudopotentials: A comparison for charge density occupation methods 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 8, 页码: art.no.084510 Jiang XW (Jiang Xiang-Wei); Deng HX (Deng Hui-Xiong); Li SS (Li Shu-Shen); Luo JW (Luo Jun-Wei); Wang LW (Wang Lin-Wang) 收藏  |  浏览/下载：159/62  |  提交时间：2010/03/08 ELECTRONIC-STRUCTURE   A fully three-dimensional atomistic quantum mechanical study on random dopant-induced effects in 25-nm MOSFETs 期刊论文 ieee transactions on electron devices, 2008, 卷号: 55, 期号: 7, 页码: 1720-1726 Jiang, XW; Deng, HX; Luo, JW; Li, SS; Wang, LW 收藏  |  浏览/下载：153/1  |  提交时间：2010/03/08 dopant fluctuation  linear combination of bulk band (LCBB)  MOSFET  quantum mechanical  threshold  3-D   Multiple valley couplings in nanometer Si metal-oxide-semiconductor field-effect transistors 期刊论文 journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 12, 页码: art. no. 124507 Deng, HX; Jiang, XW; Luo, JW; Li, SS; Xia, JB; Wang, LW 收藏  |  浏览/下载：65/5  |  提交时间：2010/03/08 SIMULATION  MOSFETS  SUPERLATTICES  REGIME  LIMIT