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半导体研究所 [19]
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学科主题
半导体材料 [19]
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学科主题：半导体材料
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Al composition variations in AlGaN films grown on low-temperature GaN buffer layer by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 24, 页码: 5266-5269
作者:
Yang H
;
Zhao DG
;
Zhu JJ
;
Yang H
;
Zhang SM
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浏览/下载：182/43
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提交时间：2010/03/08
Cathodoluminescence
MOCVD
AlGaN
Al compositional inhomogeneity of AlGaN epilayer with a high Al composition grown by metal-organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics-condensed matter, 2007, 卷号: 19, 期号: 17, 页码: art.no.176005
作者:
Yang H
;
Yang H
;
Zhao DG
;
Jiang DS
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浏览/下载：53/0
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提交时间：2010/03/29
SAPPHIRE
Optical investigation on the annealing effect and its mechanism of GaInAs/GaNAs quantum wells
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 155-160
作者:
Jiang DS
收藏
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浏览/下载：55/0
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提交时间：2010/08/12
interdiffusion
post-annealing
quantum wells
GaInNAs/GaAs
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
CARRIER LOCALIZATION
GAINNAS
LUMINESCENCE
ORIGIN
GAASN
The effects of rapid thermal annealing on the optical properties of Zn1-xMnxSe epilayer grown by MOCVD on GaAs substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 249, 期号: 3-4, 页码: 538-543
作者:
Zhang JY
;
Jiang DS
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浏览/下载：81/0
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提交时间：2010/08/12
photoluminescence
metalorganic chemical vapor deposition
epilayer
semiconducting II-VI materials
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAP
The effect of inserting strain-compensated GaNAs layers on the luminescence properties of GaInNAs/GaAs quantum well
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 339-344
作者:
Jiang DS
收藏
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浏览/下载：57/0
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提交时间：2010/08/12
quantum wells
GaInNAs
strain-compensated GaNAs layers
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHOTOLUMINESCENCE
LASERS
THRESHOLD
Influence of combined InAlAs and InGaAs strain-reducing laser on luminescence properties of InAs/GaAs quantum dots (vol 234, pg 354, 2001)
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 1-3, 页码: 499-499
作者:
Jiang DS
;
Xu B
;
Wang ZG
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浏览/下载：74/4
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提交时间：2010/08/12
The effects of concomitant In and N incorporation on the photoluminescence of GaInNAs
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 2, 页码: 261-266
作者:
Jiang DS
收藏
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浏览/下载：46/0
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提交时间：2010/08/12
photoluminescence
molecular beam epitaxy
quantum wells
III-V semiconductors
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
SINGLE-QUANTUM-WELL
LUMINESCENCE
GAAS
LOCALIZATION
BEHAVIOR
LAYER
Influence of combined InAlAs and InGaAs strain-reducing laser on luminescence properties of InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 2-3, 页码: 354-358
作者:
Xu B
;
Jiang DS
;
Wang ZG
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浏览/下载：84/7
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提交时间：2010/08/12
nanostructures
molecular beam epitaxy
semiconductor III-V materials
laser diodes
1.3 MU-M
CONTINUOUS-WAVE OPERATION
TEMPERATURE-DEPENDENCE
LASING CHARACTERISTICS
1.3-MU-M
PHOTOLUMINESCENCE
GAIN
Optical transitions and type-II band lineup of MBE-grown GaNAs/GaAs single-quantum-well structures
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 501-505
作者:
Jiang DS
收藏
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浏览/下载：147/24
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提交时间：2010/08/12
molecular beam epitaxy
quantum wells
semiconducting IIIV materials
LUMINESCENCE
GAASN
Analysis of the temperature-induced transition to current self-oscillations in doped GaAs/AlAs superlattices
期刊论文
semiconductor science and technology, 2001, 卷号: 16, 期号: 4, 页码: 239-242
作者:
Jiang DS
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浏览/下载：95/11
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提交时间：2010/08/12
GAAS-ALAS SUPERLATTICES
ELECTRIC-FIELD DOMAINS
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