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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A 2 nm low temperature GaN spacer to improve the transport properties of two-dimensional electron gas in AlGaN/InAlN/AlN/GaN heterostructures 期刊论文 applied physics letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 18, 页码: 182102 Ding JQ (Ding, Jieqin); Wang XL (Wang, Xiaoliang); Xiao HL (Xiao, Hongling); Wang CM (Wang, Cuimei); Chen H (Chen, Hong); Bi Y (Bi, Yang); Deng QW (Deng, Qinwen); Zhang JW (Zhang, Jingwen); Hou X (Hou, Xun) 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/03/26 Behavioural investigation of InN nanodots by surface topographies and phase images 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 44, 页码: 445306 Deng, QW; Wang, XL; Xiao, HL; Wang, CM; Yin, HB; Chen, H; Lin, DF; Li, JM; Wang, ZG; Hou, X 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/01/06 QUANTUM DOTS  SOLAR-CELLS  GROWTH  FILMS  GAN   Comparison of as-grown and annealed GaN/InGaN:Mg samples 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 34, 页码: 345101 Deng QW; Wang XL; Xiao HL; Wang CM; Yin HB; Chen H; Lin DF; Jiang LJ; Feng C; Li JM; Wang ZG; Hou X 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/01/06 LIGHT-EMITTING-DIODES  VAPOR-PHASE EPITAXY  BAND-GAP  MG  PHOTOLUMINESCENCE  INGAN  DEPENDENCE  STRAIN  ENERGY  INN   An investigation on InxGa1-xN/GaN multiple quantum well solar cells 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 26, 页码: art. no. 265103 作者:  Yin HB;  Lin DF;  Hou QF;  Deng QW 收藏  |  浏览/下载：36/2  |  提交时间：2011/07/07 FUNDAMENTAL-BAND GAP  PHASE-SEPARATION  EFFICIENCY  INN  EMISSION  LAYERS  MODEL   Computational Investigation of InxGa1-xN/InN Quantum-Dot Intermediate-Band Solar Cell 期刊论文 chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: article no.18401 作者:  Deng QW;  Hou QF;  Bi Y;  Yin HB 收藏  |  浏览/下载：41/5  |  提交时间：2011/07/05 EFFICIENCY   Influence of electric field on persistent photoconductivity in unintentionally doped n-type GaN 期刊论文 applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 10, 页码: article no.102104 作者:  Deng QW 收藏  |  浏览/下载：47/5  |  提交时间：2011/07/05 QUANTUM-WELL-STRUCTURE  ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURE  YELLOW LUMINESCENCE  DEEP LEVELS  TRAP  PERFORMANCE  FREQUENCY  EPILAYERS  ORIGIN  DIODES   The transport mechanism of gate leakage current in AlGaN/GaN high electron mobility transistors 期刊论文 european physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 30104 作者:  Deng QW;  Hou QF;  Bi Y 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2011/09/14 GAN   Theoretical study on InxGa1-xN/GaN quantum dots solar cell 期刊论文 physica b-condensed matter, 2011, 卷号: 406, 期号: 1, 页码: 73-76 作者:  Hou QF;  Yin HB;  Deng QW 收藏  |  浏览/下载：92/9  |  提交时间：2011/07/05 Efficiency  Quantum dot  GaN  EFFICIENCY   An investigation on In(x)Ga(1-x)N/GaN multiple quantum well solar cells 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 26, 页码: 265103 Deng QW; Wang XL; Xiao HL; Wang CM; Yin HB; Chen H; Hou QF; Lin DF; Li JM; Wang ZG; Hou X 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/01/06 FUNDAMENTAL-BAND GAP  PHASE-SEPARATION  EFFICIENCY  INN  EMISSION  LAYERS  MODEL   Low temperature characteristics of AlGaN/GaN high electron mobility transistors 期刊论文 european physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 56, 期号: 1, 页码: 10101 Lin DF (Lin D. F.); Wang XL (Wang X. L.); Xiao HL (Xiao H. L.); Wang CM (Wang C. M.); Qiang LJ (Qiang L. J.); Feng C (Feng C.); Chen H (Chen H.); Hou QF (Hou Q. F.); Deng QW (Deng Q. W.); Bi Y (Bi Y.); Kang H (Kang H.) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/02/21