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| 形成纳米线阵列的方法 专利
专利号: CN201410766450.1, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2016-07-06
作者: 洪培真 ; 徐秋霞; 殷华湘; 李俊峰; 赵超
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201210497474.2, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2014-06-11
作者: 秦长亮; 王桂磊; 洪培真; 尹海洲; 殷华湘
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201310269697.8, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2014-12-31
作者: 秦长亮; 徐强; 洪培真; 殷华湘; 尹海洲
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| 鳍式场效应晶体管及其假栅的制造方法 专利
专利号: CN201410392773.9, 申请日期: 2018-07-10, 公开日期: 2016-02-17
作者: 洪培真; 殷华湘; 朱慧珑; 刘青; 李俊峰
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| 一种自对准接触孔刻蚀工艺方法 专利
专利号: CN201310438771.4, 申请日期: 2018-06-26, 公开日期: 2015-03-25
作者: 李俊杰; 李春龙; 李俊峰; 王文武; 洪培真
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201310173339.7, 申请日期: 2018-05-15, 公开日期: 2014-11-12
作者: 秦长亮; 洪培真; 尹海洲; 殷华湘; 李俊峰
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201210246436.X, 申请日期: 2018-02-13, 公开日期: 2014-01-29
作者: 秦长亮; 洪培真; 殷华湘
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| 一种硅深孔刻蚀方法 专利
专利号: CN201410571338.2, 申请日期: 2018-02-09, 公开日期: 2016-05-18
作者: 赵超; 李俊杰; 孟令款; 李春龙; 洪培真
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| 堆叠纳米线制造方法 专利
专利号: CN201310110074.6, 申请日期: 2018-01-02, 公开日期: 2014-10-01
作者: 马小龙; 秦长亮; 殷华湘; 洪培真; 赵超
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| Performance validation of an amplicon-based targeted next-generation sequencing assay and mutation profiling of 648 Chinese colorectal cancer patients 期刊论文
VIRCHOWS ARCHIV, 2018, 卷号: 472, 期号: 6
作者: Wang, Yajian; Liu, Haijing; Hou, Yingyong; Zhou, Xiaoyan; Liang, Li
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