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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 发表日期：2015    专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Ion-Implanted TiN Metal Gate With Dual Band-Edge Work Function and Excellent Reliability for Advanced CMOS Device Applications 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015 作者:  Zhu HL(朱慧珑);  Liang QQ(梁擎擎);  Liu JB(刘金彪);  Li JF(李俊峰);  Xiang JJ(项金娟) 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2016/05/31 A guided-mode resonance based wideband reflector at visible wavelengths 会议论文 作者:  Xie CQ(谢常青);  Niu JB(牛洁斌);  Li HL(李海亮);  Liu Y(刘宇);  Shi LN(史丽娜) 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2016/06/14 Omnidirectional diffraction control with rotational topological defects 期刊论文 Optics Express, 2015 作者:  Li HL(李海亮);  Shi LN(史丽娜);  Xie CQ(谢常青) 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2016/05/24 Impact of pattern dependency of SiGe layers grown selectively in source/drain on the performance of 22nm node pMOSFETs 期刊论文 Solid-State Electronics, 2015 作者:  Li JF(李俊峰);  Wang GL(王桂磊);  Xu YF(徐烨峰);  Luo J(罗军);  Guo YL(郭奕栾) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2016/05/31 Comparison of Single-Step and Two-Step EBL T-gates Fabrication Techniques for InP-based HEMT 期刊论文 Chinese Journal of Electronics, 2015 作者:  Wang HL(王海丽);  Zhong YH(钟英辉);  Zang HP(臧华平);  Sun SX(孙淑香);  Li KK(李凯凯) 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2016/05/26 High Q Plasmonic Lasing of Band Edge Modes in an Asymmetry Environment 期刊论文 Plasmonics, 2015 作者:  Li HL(李海亮);  Shi LN(史丽娜);  Xie CQ(谢常青);  Hua YL(华一磊);  Niu JB(牛洁斌) 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2016/05/24 Improved Short Channel Effect Control in Bulk FinFETs With Vertical Implantation to Form Self-Aligned Halo and Punch-Through Stop Pocket 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015 作者:  Chen DP(陈大鹏);  Ye TC(叶甜春);  Zhu HL(朱慧珑);  Yin HX(殷华湘);  Xu M(许淼) 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2016/05/31 Device parameter optimization for sub-20 nm node HK/MG-last bulk FinFETs 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2015 作者:  Zhao ZG(赵治国);  Luo J(罗军);  Yang H(杨红);  Meng LK(孟令款);  Hong PZ(洪培真) 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2016/05/31 Planar Bulk MOSFETs With Self-Aligned Pocket Well to Improve Short-Channel Effects and Enhance Device Performance 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015 作者:  Zhao YY(赵玉印);  He XB(贺晓彬);  Gao JF(高建峰);  Xu Q(徐强);  Li JJ(李俊杰) 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2016/05/31