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浏览/检索结果: 共18条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2003    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Room-temperature ferromagnetic semiconductor MnxGa1-xSb 期刊论文 chinese science bulletin, 2003, 卷号: 48, 期号: 6, 页码: 516-518 Chen NF; Zhang FQ; Yang JL; Liu ZK; Yang SY; Chai CL; Wang ZG; Hu WR; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 MnxGa1-xSb  ferromagnetic semiconductor  diluted magnetic semiconductors  DILUTED MAGNETIC SEMICONDUCTORS  GAMNAS   Influence of growth pressure of a GaN buffer layer on the properties of MOCVD GaN 期刊论文 science in china series e-technological sciences, 2003, 卷号: 46, 期号: 6, 页码: 620-626 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：252/65  |  提交时间：2010/08/12 gallium nitride  MOCVD  in situ laser reflectometry  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  IN-SITU  SAPPHIRE SUBSTRATE  NUCLEATION LAYERS  FILMS   Capacitance-voltage spectroscopy of In0.5Ga0.5As self-assembled quantum dots in double quantum wells under selective photo-excitation 期刊论文 semiconductor science and technology, 2003, 卷号: 18, 期号: 8, 页码: 760-762 Li GR; Zheng HZ; Yang FH; Hu CY 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/08/12 PHOTOLUMINESCENCE  EMISSION  STATES   Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth 会议论文 iumrs/icem 2002 conference, xian, peoples r china, jun 10-14, 2002 Zhang ZC; Ren BY; Chen YH; Yang SY; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/11/15 Czochralski method  growth from melt  semiconductor silicon  argon gas flow  computer simulation  oxygen content  FURNACE PRESSURE   Effects of reactor pressure on GaN nucleation layers and subsequent GaN epilayers grown on sapphire substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 254, 期号: 3-4, 页码: 348-352 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：230/30  |  提交时间：2010/08/12 in situ laser reflectometry  lateral overgrowth  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  HIGH-QUALITY GAN  BUFFER LAYER  THREADING DISLOCATIONS  TEMPERATURE  EVOLUTION  SURFACE  MOVPE   (Ga,Mn,N) compounds growth with mass-analyzed low energy dual ion beam deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 252, 期号: 1-3, 页码: 202-207 Zhang FQ; Chen NF; Liu XG; Liu ZK; Yang SY; Cha CL 收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  ion beam epitaxy  semiconducting III-V materials  DILUTED MAGNETIC SEMICONDUCTORS  IMPLANTED GAN  FERROMAGNETISM  INJECTION  GAAS  MN   Magnetic properties of silicon doped with gadolinium 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 2003, 卷号: 77, 期号: 3-4, 页码: 599-602 Zhou JP; Chen NF; Song SL; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：321/10  |  提交时间：2010/08/12 METAL-INSULATOR-TRANSITION  BEAM EPITAXY TECHNIQUE  SEMICONDUCTING SILICIDES  INDUCED FERROMAGNETISM  FILMS  MAGNETORESISTANCE  TEMPERATURE  ALLOYS   Strain accommodation of 3C-SiC grown on hydrogen-implanted Si (001) substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 257, 期号: 3-4, 页码: 321-325 作者:  Li DB 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/08/12 substrate  heteroepitaxy  low pressure chemical vapor deposition  semiconducting silicon carbide  COMPLIANT SUBSTRATE  CRITICAL THICKNESS  SILICON  RELAXATION  MECHANISM  DEFECTS  LAYERS   The effects of rapid thermal annealing on the optical properties of Zn1-xMnxSe epilayer grown by MOCVD on GaAs substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 249, 期号: 3-4, 页码: 538-543 作者:  Zhang JY;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：81/0  |  提交时间：2010/08/12 photoluminescence  metalorganic chemical vapor deposition  epilayer  semiconducting II-VI materials  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAP   Selective area growth of GaN on GaAs(001) substrates by metalorganic vapor-phase epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 252, 期号: 1-3, 页码: 9-13 Shen XM; Feng G; Zhang BS; Duan LH; Wang YT; Yang H 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 scanning electron microscopy  X-ray diffraction  Metalorganic vapor phase epitaxy  selective area growth  gallium nitride  CUBIC GAN  OVERGROWN GAN  DEPOSITION  GAAS(100)