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Method of making a gallium nitride device 专利
专利号: US20170294517A1, 申请日期: 2017-10-12, 公开日期: 2017-10-12
作者:  BEDELL, STEPHEN W.;  FOGEL, KEITH E.;  LAURO, PAUL A.;  SADANA, DEVENDRA K.
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Ultra-thin ohmic contacts for p-type nitride light emitting devices 专利
专利号: US20120080688A1, 申请日期: 2012-04-05, 公开日期: 2012-04-05
作者:  RAFFETTO, MARK;  BHARATHAN, JAYESH;  HABERERN, KEVIN;  BERGMANN, MICHAEL;  EMERSON, DAVID
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Semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same 专利
专利号: US20110089451A1, 申请日期: 2011-04-21, 公开日期: 2011-04-21
作者:  JEONG, HWAN HEE;  LEE, SANG YOUL;  SONG, JUNE O.;  CHOI, KWANG KI
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GaN laser with refractory metal ELOG masks for intracavity contact 专利
专利号: US7638810, 申请日期: 2009-12-29, 公开日期: 2009-12-29
作者:  BOUR, DAVID P.;  CORZINE, SCOTT W
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Injection laser 专利
专利号: US20040136424A1, 申请日期: 2004-07-15, 公开日期: 2004-07-15
作者:  SHVEYKIN, VASILY I.
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Ohmic contacts for p-type wide bandgap II-VI semiconductor materials 专利
专利号: US6265731, 申请日期: 2001-07-24, 公开日期: 2001-07-24
作者:  AHLGREN, WILLIAM L.
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Integrated heterostructures of group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact comprising multiple quantum well 专利
专利号: US6046464, 申请日期: 2000-04-04, 公开日期: 2000-04-04
作者:  SCHETZINA, JAN FREDERICK
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Electrical isolation of opto-electronic device components 专利
专利号: EP0917260A1, 申请日期: 1999-05-19, 公开日期: 1999-05-19
作者:  BARNARD, JOSEPH ALAN, DR.
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Diamond heat sink comprising synthetic diamond film 专利
专利号: US5663595, 申请日期: 1997-09-02, 公开日期: 1997-09-02
作者:  SHIOMI, HIROMU;  NAKAHATA, HIDEAKI;  NISHIBAYASHI, YOSHIKI;  SHIKATA, SHIN-ICHI
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TEM mode quantum wire or well structure 专利
专利号: US5661740, 申请日期: 1997-08-26, 公开日期: 1997-08-26
作者:  DUTTA, MITRA;  STROSCIO, MICHAEL A.;  SIRENKO, YURI M.;  KIM, KI WOOK
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