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First principles study of the electronic properties of twinned SiC nanowires 期刊论文
journal of nanoparticle research, 2011, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 185-191
作者:  Li JB
收藏  |  浏览/下载：100/6  |  提交时间：2011/07/05
Annealing study of carrier concentration in gradient-doped GaAs/GaAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文
applied optics, 2009, 卷号: 48, 期号: 9, 页码: 1715-1720
Zhang YJ; Chang BK; Yang Z; Niu J; Xiong YJ; Shi F; Guo H; Zeng YP
收藏  |  浏览/下载：65/25  |  提交时间：2010/03/08
Recombination property of nitrogen-acceptor-bound states in ZnO 期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 4, 页码: art.no.046101
Yang XD; Xu ZY; Sun Z; Sun BQ; Ding L; Wang FZ; Ye ZZ
收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/04/11
Selectively excited photoluminescence of GaAs1-xNx single quantum wells 期刊论文
journal of applied physics, 2003, 卷号: 94, 期号: 8, 页码: 4863-4865
作者:  Tan PH
收藏  |  浏览/下载：142/0  |  提交时间：2010/08/12
Effect of InxGa1-xAs (0 <= x <= 0.4) capping layer on self-assembled 1.3 mu m wavelength InAs/GaAs quantum islands 期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 3, 页码: 363-368
Wang XD; Niu ZC; Feng SL; Miao ZH
收藏  |  浏览/下载：93/3  |  提交时间：2010/08/12
Photoluminescence of rapid-thermal annealed Mg-doped GaN films 期刊论文
solid-state electronics, 2001, 卷号: 45, 期号: 7, 页码: 1153-1157
Wang LS; Fong WK; Surya C; Cheah KW; Zheng WH; Wang ZG
收藏  |  浏览/下载：73/5  |  提交时间：2010/08/12
Effect of In-mole-fraction in InGaAs overgrowth layer on self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 1-2, 页码: 193-197
作者:  Xu B
收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/08/12
Identification of induced reaction during XPS depth profile measurements of CeO2/Si films grown by ion beam epitaxy 期刊论文
vacuum, 1998, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 133-137
Wu Z; Huang D; Yang X; Wang J; Qin F; Zhang J; Yang Z
收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12

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