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半导体研究所 [13]
内容类型
期刊论文 [12]
会议论文 [1]
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专题:半导体研究所
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Enhancement of field emission of the ZnO film by the reduced work function and the increased conductivity via hydrogen plasma treatment
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 26, 页码: art. no. 262105
作者:
Zhang XW
;
Yin ZG
;
You JB
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浏览/下载:100/13
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提交时间:2010/03/08
atomic force microscopy
field emission
hydrogen
II-VI semiconductors
plasma materials processing
sputter deposition
wide band gap semiconductors
work function
zinc compounds
Thermally induced fe atom transition from substitutional to interstitial sites in inp and its influence on material property
期刊论文
Acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 5536-5541
作者:
Zhao You-Wen
;
Miao Shan-Shan
;
Dong Zhi-Yuan
;
Lue Xiao-Hong
;
Deng Ai-Hong
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
Indium phosphide
Fe activation
Annealing
Semi-insulating
Thermally induced Fe atom transition from substitutional to interstitial sites in InP and its influence on material property
期刊论文
acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 5536-5541
Zhao, YW (Zhao You-Wen)
;
Miao, SS (Miao Shan-Shan)
;
Dong, ZY (Dong Zhi-Yuan)
;
Lue, XH (Lue Xiao-Hong)
;
Deng, AH (Deng Ai-Hong)
;
Yang, J (Yang Jun)
;
Wang, B (Wang Bo)
收藏
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/03/29
indium phosphide
Pixe analysis of fe content in fe-implanted gan film
期刊论文
Nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 2006, 卷号: 252, 期号: 2, 页码: 225-229
作者:
Zhang, B.
;
Shi, L. Q.
;
Chen, C. C.
;
Zhao, D. G.
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Pixe
Fe content
Ion implantation
Diluted magnetic semiconductor
Fabrication of a Silicon-Based Microprobe for Neural Interface Applications
期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 10, 页码: 1703-1706
作者:
Pei Weihua
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/11/23
PIXE analysis of Fe content in Fe-implanted GaN film
期刊论文
nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 2006, 卷号: 252, 期号: 2, 页码: 225-229
作者:
Zhao DG
收藏
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/03/29
PIXE
Sensitivity of Total-Dose Radiation Hardness of SIMOX Buried Oxides to Doses of Nitrogen Implantation into Buried Oxides
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: 862-866
Zheng Zhongshan
;
Liu Zhongli
;
Zhang Guoqiang
;
Li Ning
;
Li Guohua
;
Ma Hongzhi
;
Zhang Enxia
;
Zhang Zhengxuan
;
Wang Xi
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/23
Study of infrared luminescence from Er-implanted GaN films
会议论文
international conference on materials for advanced technologies, singapore, singapore, dec 07-12, 2003
Chen WD
;
Song SF
;
Zhu JJ
;
Wang XL
;
Chen CY
;
Hsu CC
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2010/11/15
doping
metalorganic chemical vapor deposition
molecular beam epitaxy
gallium compounds
semiconducting gallium compounds
ERBIUM
Annealing and activation of silicon implanted in semi-insulating InP substrates
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2003, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 215-218
Dong HW
;
Zhao YW
;
Li JM
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/08/12
semi-insulating InP
ion implantation
silicon
annealing
activation
SI+-IMPLANTATION
PHOSPHIDE VAPOR
UNDOPED INP
FE
WAFERS
UNIFORMITY
PRESSURE
(Ga,Mn,As) compounds grown on semi-insulating GaAs with mass-analyzed low energy dual ion beam depositionw
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 2-3, 页码: 359-363
Yang JL
;
Chen NF
;
Liu ZK
;
Yang SY
;
Chai CL
;
Liao MY
;
He HJ
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浏览/下载:76/6
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提交时间:2010/08/12
X-ray diffraction
ion beam epitaxy
gallium arsenide
FILMS
FE
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