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科研机构
半导体研究所 [9]
内容类型
期刊论文 [8]
会议论文 [1]
发表日期
2011 [2]
2010 [2]
2009 [3]
2006 [1]
1998 [1]
学科主题
光电子学 [5]
半导体材料 [2]
半导体物理 [2]
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专题:半导体研究所
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Efficient 1.53 mu m emission and energy transfer in Si/Er-Si-O multilayer structure
期刊论文
materials research bulletin, 2011, 卷号: 46, 期号: 2, 页码: 262-265
作者:
Xue CL
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浏览/下载:63/4
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提交时间:2011/07/05
Multilayers
Inorganic compounds
Sputtering
Optical properties
DOPED SI/SIO2 SUPERLATTICES
ERBIUM SILICATE
ER3+
LUMINESCENCE
FILMS
PHOTOLUMINESCENCE
A new method to measure the carrier concentration of p-GaN
期刊论文
acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 3, 页码: article no.37804
Zhou M
;
Zhao DG
收藏
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浏览/下载:66/7
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提交时间:2011/07/05
p-GaN
carrier concentration measurement
ultraviolet photodetector
LASER-DIODES
FILMS
Charge transfer and optical phonon mixing in few-layer graphene chemically doped with sulfuric acid
期刊论文
physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 24, 页码: article no.245423
作者:
Tan PH
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浏览/下载:78/9
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提交时间:2011/07/05
RAMAN-SPECTROSCOPY
BILAYER GRAPHENE
GRAPHITE
SCATTERING
SPECTRA
CARBON
FILMS
Hole concentration test of p-type GaN by analyzing the spectral response of p-n(+) structure GaN ultraviolet photodetector
期刊论文
: journal of alloys and compounds, 2010, 卷号: 492, 期号: 1-2, 页码: 300-302
作者:
Zhu JJ
;
Yang H
;
Yang H
;
Zhao DG
;
Zhang SM
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浏览/下载:231/10
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提交时间:2010/04/13
Nitride materials
Photoconductivity and photovoltaics
Computer simulations
FILMS
Dislocation core effect scattering in a quasitriangle potential well
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 11, 页码: art. no. 112102
作者:
Wei HY
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浏览/下载:236/104
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
carrier density
carrier mobility
dislocation density
dislocation scattering
gallium compounds
III-V semiconductors
semiconductor heterojunctions
wide band gap semiconductors
Investigation of gain recovery for InAs/GaAs quantum dot semiconductor optical amplifiers by rate equation simulation
期刊论文
optical and quantum electronics, 2009, 卷号: 41, 期号: 8, 页码: 613-626
Xiao JL (Xiao Jin-Long)
;
Yang YD (Yang Yue-De)
;
Huang YZ (Huang Yong-Zhen)
收藏
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浏览/下载:89/2
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提交时间:2010/08/17
Quantum dots (QDs)
Semiconductor optical amplifiers (SOAs)
Gain recovery
CARRIER DISTRIBUTION
DYNAMICS
SATURATION
RELAXATION
LASERS
MODEL
Hole Spin Relaxation in an Ultrathin InAs Monolayer
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: art. no. 057303
作者:
Zhang XH
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浏览/下载:184/55
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提交时间:2010/03/08
SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS
GAAS
WELLS
DYNAMICS
EXCITONS
Study on Raman spectra of GaMnAs
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2006, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 207-212
Ma BS
;
Wang WJ
;
Su FH
;
Den JJ
;
Jiang CP
;
Liu HL
;
Ding K
;
Zhao JH
;
Li GH
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/04/11
GaMnAs
Raman spectrum
coupled plamon-LO-phonon mode
hole density
GAAS
(GA
MOCVD
FILMS
GAN
MN)AS
Dependence of ultra-thin gate oxide reliability on surface cleaning approach
会议论文
5th international conference on solid-state and integrated circuit technology, beijing, peoples r china, oct 21-23, 1998
Gao WY
;
Liu ZL
;
He ZJ
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/10/29
CHEMICAL TREATMENT
QUALITY
TECHNOLOGY
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