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Atomic Mechanism of Interfacial-Controlled Quantum Efficiency and Charge Migration in InAs/GaSb Superlattice 期刊论文
ACS Applied Materials & Interfaces, 2017, 卷号: 9, 页码: 26642−26647
作者:  Han Bi;  Xi Han;  Lu Liu;  Yunhao Zhao;  Xuebing Zhao
收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2018/06/15
Raman study of ultrathin Fe(3)O(4) films on GaAs(001) substrate: stoichiometry, epitaxial orientation and strain 期刊论文
journal of raman spectroscopy, 2011, 卷号: 42, 期号: 6, 页码: 1388-1391
Zhang, J; Tan, PH; Zhao, WJ; Lu, J; Zhao, JH
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/01/06
Hole mediated magnetism in Mn-doped GaN nanowires 期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.74313
作者:  Li JB
收藏  |  浏览/下载：62/4  |  提交时间：2011/07/05
Intercalation of Few-Layer Graphite Flakes with FeCl3: Raman Determination of Fermi Level, Layer by Layer Decoupling, and Stability 期刊论文
journal of the american chemical society, 2011, 卷号: 133, 期号: 15, 页码: 5941-5946
作者:  Liu J;  Tan PH
收藏  |  浏览/下载：91/4  |  提交时间：2011/07/05
Fabrication of ferromagnetic GaMnSb by thermal diffusion of evaporated Mn 期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 316, 期号: 1, 页码: 145-148
Yang GD; Zhu F; Dong S
收藏  |  浏览/下载：64/2  |  提交时间：2011/07/05
Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching 期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145
作者:  Duan RF
收藏  |  浏览/下载：87/4  |  提交时间：2011/07/05
GaN grown with InGaN as a weakly bonded layer 期刊论文
crystengcomm, 2011, 卷号: 13, 期号: 5, 页码: 1580-1585
作者:  Wei HY;  Song HP
收藏  |  浏览/下载：63/4  |  提交时间：2011/07/05
Epitaxial growth and thermal stability of Ge1-xSnx alloys on Ge-buffered Si(001) substrates 期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 317, 期号: 1, 页码: 43-46
Su SJ; Wang W; Cheng BW; Zhang GZ; Hu WX; Xue CL; Zuo YH; Wang QM
收藏  |  浏览/下载：72/4  |  提交时间：2011/07/05
The contributions of composition and strain to the phonon shift in Ge1-xSnx alloys 期刊论文
solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 8, 页码: 647-650
Su SJ; Wang W; Cheng BW; Hu WX; Zhang GZ; Xue CL; Zuo YH; Wang QM
收藏  |  浏览/下载：64/3  |  提交时间：2011/07/05
Defect properties of as-grown and electron-irradiated Te-doped GaSb studied by positron annihilation 期刊论文
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75016
Li H; Zhou K; Pang JB; Shao YD; Wang Z; Zhao YW
收藏  |  浏览/下载：53/10  |  提交时间：2011/07/05

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