×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [6]
物理研究所 [4]
厦门大学 [1]
内容类型
期刊论文 [11]
发表日期
2011 [6]
2008 [1]
2006 [1]
2004 [1]
1996 [2]
学科主题
光电子学 [3]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共11条,第1-10条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
The contributions of composition and strain to the phonon shift in ge1-xsnx alloys
期刊论文
Solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 8, 页码: 647-650
作者:
Su, Shaojian
;
Wang, Wei
;
Cheng, Buwen
;
Hu, Weixuan
;
Zhang, Guangze
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Semiconductors
Raman scattering
Epitaxial growth and thermal stability of ge(1-x)sn(x) alloys on ge-buffered si(001) substrates
期刊论文
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 317, 期号: 1, 页码: 43-46
作者:
Su, Shaojian
;
Wang, Wei
;
Cheng, Buwen
;
Zhang, Guangze
;
Hu, Weixuan
收藏
  |  
浏览/下载:106/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Thermal stability
Molecular beam epitaxy
Germanium tin alloys
Germanium
Epitaxial growth of ge0.975sn0.025 alloy films on si(001) substrates by molecular beam epitaxy
期刊论文
Acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: 5
作者:
Su Shao-Jian
;
Wang Wei
;
Zhang Guang-Ze
;
Hu Wei-Xuan
;
Bai An-Qi
收藏
  |  
浏览/下载:86/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Gesn
Ge
Molecular beam epitaxy
Epitaxial growth
Epitaxial growth and thermal stability of Ge1-xSnx alloys on Ge-buffered Si(001) substrates
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 317, 期号: 1, 页码: 43-46
Su SJ
;
Wang W
;
Cheng BW
;
Zhang GZ
;
Hu WX
;
Xue CL
;
Zuo YH
;
Wang QM
收藏
  |  
浏览/下载:71/4
  |  
提交时间:2011/07/05
Thermal stability
Molecular beam epitaxy
Germanium tin alloys
Germanium
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
LOW-TEMPERATURE
SEMICONDUCTORS
GE(001)2X1
The contributions of composition and strain to the phonon shift in Ge1-xSnx alloys
期刊论文
solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 8, 页码: 647-650
Su SJ
;
Wang W
;
Cheng BW
;
Hu WX
;
Zhang GZ
;
Xue CL
;
Zuo YH
;
Wang QM
收藏
  |  
浏览/下载:64/3
  |  
提交时间:2011/07/05
Semiconductors
Raman scattering
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
RAMAN FREQUENCIES
SEMICONDUCTORS
GE(001)2X1
SILICON
SCATTERING
GROWTH
Epitaxial growth of Ge0.975Sn0.025 alloy films on Si(001) substrates by molecular beam epitaxy
期刊论文
acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: article no.28101
Su SJ
;
Wang W
;
Zhang GZ
;
Hu WX
;
Bai AQ
;
Xue CL
;
Zuo YH
;
Cheng BW
;
Wang QM
收藏
  |  
浏览/下载:55/3
  |  
提交时间:2011/07/05
GeSn
Ge
molecular beam epitaxy
epitaxial growth
SEMICONDUCTORS
GE(001)2X1
Structural transformation of Ge dimers on Ge(001) surfaces induced by bias voltage
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2008, 卷号: 17, 期号: 12, 页码: 4580
Qin, ZH
;
Shi, DX
;
Gao, HJ
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2013/09/24
SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY
SI(001) SURFACE
CLEAN GE(001)
STM
TRANSITIONS
CLUSTERS
SCALE
Processing of an atomically smooth Ge(001) surface on a large scale
期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2006, 卷号: 17, 期号: 9, 页码: 2396
Qin, ZH
;
Shi, DX
;
Ji, W
;
Pan, SJ
;
Gao, HJ
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2013/09/24
SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY
GE CLUSTERS
DEFECTS
RECONSTRUCTION
SI(100)-2X1
SI(001)
AG
Diradical mechanisms for the cycloaddition chemistry of ethylene on X(100) surfaces (X = C, Si, and Ge)
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1021/jp049329n, 2004
Lu, X.
;
Zhu, M. P.
;
Wang, X. L.
;
吕鑫
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2013/12/12
DIELS-ALDER REACTIONS
C(100)-2 X-1 SURFACE
1,3-DIPOLAR CYCLOADDITIONS
SILICON(001) SURFACE
SEMICONDUCTOR SURFACES
THEORETICAL PREDICTION
SI(100)-2X1 SURFACE
ADSORPTION
DENSITY
FUNCTIONALIZATION
Monte-Carlo calculations for the surface on a semi-infinite XY model
期刊论文
COMMUNICATIONS IN THEORETICAL PHYSICS, 1996, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 115
Sun, G
;
Zhang, XD
;
Li, BZ
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2013/09/18
LIQUID-CRYSTAL FILMS
FIELD
RENORMALIZATION
MAGNETISM
SYMMETRY
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace