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光电技术研究所 [32]
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Accurate determination of electronic transport properties of silicon wafers by nonlinear photocarrier radiometry with multiple pump beam sizes
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015, 卷号: 118, 期号: 21
作者:
Wang, Qian
;
Li, Bincheng
收藏
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浏览/下载：19/0
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提交时间：2016/06/27
Electronic transport characterization of silicon wafers by spatially resolved steady-state photocarrier radiometric imaging
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015, 卷号: 118, 期号: 12
作者:
Wang, Qian
;
Li, Bincheng
收藏
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浏览/下载：22/0
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提交时间：2015/12/04
Combined Frequency- and Time-Domain Photocarrier Radiometry Characterization for Annealing Temperature Dependence of Arsenic Ion-Implanted Silicon Wafers
期刊论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF THERMOPHYSICS, 2015, 卷号: 36, 期号: 5-6, 页码: 1045-1050
作者:
Ren, Shengdong
;
Li, Bincheng
;
Wang, Qian
收藏
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浏览/下载：22/0
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提交时间：2015/09/21
Carrier effective lifetime
Photocarrier radiometry
Silicon
Thermal annealing
Accurate determination of electronic transport properties of silicon wafers by nonlinear photocarrier radiometry with multiple pump beam sizes
期刊论文
Journal of Applied Physics, 2015, 卷号: 118, 期号: 21, 页码: 215707
作者:
Wang, Qian
;
Li, Bincheng
收藏
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浏览/下载：13/0
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提交时间：2016/11/21
Combined Frequency- and Time-Domain Photocarrier Radiometry Characterization for Annealing Temperature Dependence of Arsenic Ion-Implanted Silicon Wafers
期刊论文
International Journal of Thermophysics, 2015, 卷号: 36, 期号: 5-6, 页码: 1045-1050
作者:
Ren, Shengdong
;
Li, Bincheng
;
Wang, Qian
收藏
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浏览/下载：16/0
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提交时间：2016/11/21
Electronic transport characterization of silicon wafers by spatially resolved steady-state photocarrier radiometric imaging
期刊论文
Journal of Applied Physics, 2015, 卷号: 118, 期号: 12, 页码: 125705
作者:
Wang, Qian
;
Li, Bincheng
收藏
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浏览/下载：16/0
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提交时间：2016/11/21
Three-dimensional transient model for time-domain free-carrier absorption measurement of excess carriers in silicon wafers
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013, 卷号: 114, 期号: 24
作者:
Ren, Shengdong
;
Li, Bincheng
;
Huang, Qiuping
收藏
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浏览/下载：18/0
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提交时间：2015/04/17
Characterization of Silicon Wafers with Combined Photocarrier Radiometry and Free Carrier Absorption
期刊论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF THERMOPHYSICS, 2013, 卷号: 34, 期号: 8-9, 页码: 1735-1745
作者:
Li, Bincheng
;
Huang, Qiuping
;
Ren, Shengdong
收藏
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浏览/下载：25/0
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提交时间：2015/04/17
Electronic transport properties
Free carrier absorption
Ion implantation
Photocarrier radiometry
Silicon
Thermal annealing
Three-dimensional transient model for time-domain free-carrier absorption measurement of excess carriers in silicon wafers
期刊论文
Journal of Applied Physics, 2013, 卷号: 114, 期号: 24, 页码: 243702
作者:
Ren, Shengdong
;
Li, Bincheng
;
Huang, Qiuping
收藏
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浏览/下载：16/0
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提交时间：2016/11/21
Characterization of silicon wafers with combined photocarrier radiometry and free carrier absorption
期刊论文
International Journal of Thermophysics, 2013, 卷号: 34, 期号: 8-9, 页码: 1735-1745
作者:
Li, Bincheng
;
Huang, Qiuping
;
Ren, Shengdong
收藏
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浏览/下载：14/0
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提交时间：2016/11/21
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