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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Analysis of Dark Signal Degradation Caused by 1 MeV Neutron Irradiation on Backside-Illuminated CMOS Image Sensors 期刊论文 CHINESE JOURNAL OF ELECTRONICS, 2021, 卷号: 30, 期号: 1, 页码: 180-184 作者:  Liu, BK (Liu Bingkai)[ 1,2,3 ];  Li, YD (Li Yudong)[ 1,2 ];  Wen, L (Wen Lin)[ 1,2 ];  Zhou, D (Zhou Dong)[ 1,2 ];  Feng, J (Feng Jie)[ 1,2 ] 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2021/05/10 Backside‐  illuminated CMOS image sensors  Dark signal behaviors  Displacement damage effects  Neutron irradiation   Study of dark current random telegraph signal in proton-irradiated backside illuminated CMOS image sensors 期刊论文 RESULTS IN PHYSICS, 2020, 卷号: 19, 期号: 12, 页码: 1-7 作者:  Liu, BK (Liu, Bingkai)[ 1,2,3 ];  Li, YD (Li, Yudong)[ 1,2 ];  Wen, L (Wen, Lin)[ 1,2 ];  Zhou, D (Zhou, Dong)[ 1,2 ];  Feng, J (Feng, Jie)[ 1,2 ] 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2021/03/19 Backside illuminated CMOS image sensor  Random telegraph signal  Radiation effects  Proton irradiation  Theoretical calculation