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科研机构
新疆理化技术研究所 [2]
天津大学 [1]
内容类型
期刊论文 [2]
学位论文 [1]
发表日期
2020 [2]
2012 [1]
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背照式CMOS图像传感器的累积辐射效应研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
张翔
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2020/11/19
背照式CMOS 图像传感器
总剂量效应
位移损伤效应
Study of dark current random telegraph signal in proton-irradiated backside illuminated CMOS image sensors
期刊论文
RESULTS IN PHYSICS, 2020, 卷号: 19, 期号: 12, 页码: 1-7
作者:
Liu, BK (Liu, Bingkai)[ 1,2,3 ]
;
Li, YD (Li, Yudong)[ 1,2 ]
;
Wen, L (Wen, Lin)[ 1,2 ]
;
Zhou, D (Zhou, Dong)[ 1,2 ]
;
Feng, J (Feng, Jie)[ 1,2 ]
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提交时间:2021/03/19
Backside illuminated CMOS image sensor
Random telegraph signal
Radiation effects
Proton irradiation
Theoretical calculation
Full well capacity and quantum efficiency optimization for small size backside illuminated CMOS image pixels with a new photodiode structure
期刊论文
半导体学报, 2012, 卷号: 第12期, 页码: P42-48
作者:
Sun Yu Zhang Ping Xu Jiangtao * Gao Zhiyuan Xu Chao
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/11/26
backside illuminated CMOS image sensor/photodiode/full well capacity/quantum efficiency/small size pixel
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