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Thin film infrared transparent conductor 专利
专利号: US7314673, 申请日期: 2008-01-01, 公开日期: 2008
作者:  CHEUNG, JEFFREY T.;  WINKER, BRUCE K.;  GU, DONG-FENG;  KOBRIN, PAUL H.
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InGaN diode-laser pumped II-VI semiconductor lasers 专利
专利号: US7136408, 申请日期: 2006-11-14, 公开日期: 2006-11-14
作者:  SPINELLI, LUIS A.;  ZHOU, HAILONG;  AUSTIN, R. RUSSEL
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Method for making optoelectronic and microelectronic devices including cubic ZnMgO and/or CdMgO alloys 专利
专利号: US6518077, 申请日期: 2003-02-11, 公开日期: 2003-02-11
作者:  NARAYAN, JAGDISH;  SHARMA, AJAY KUMAR;  MUTH, JOHN F.
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Optical semiconductor element 专利
专利号: US6057561, 申请日期: 2000-05-02, 公开日期: 2000-05-02
作者:  KAWASAKI, MASASHI;  KOINUMA, HIDEOMI;  OHTOMO, AKIRA;  SEGAWA, YUSABURO;  YASUDA, TAKASHI
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Room temperature 3-5 micrometer wavelength HgCdTe heterojunction emitter 专利
专利号: US5998809, 申请日期: 1999-12-07, 公开日期: 1999-12-07
作者:  CHEN, MEN-CHEE;  BEVAN, MALCOLM J.
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Method of growing compound semiconductor layer 专利
专利号: GB2296816A, 申请日期: 1996-07-10, 公开日期: 1996-07-10
作者:  HIROTAKA, KIZUKI;  YASUTOMO, KAJIKAWA
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Semiconductor light-emitting device with cadmium zinc selenide layer 专利
专利号: US5299217, 申请日期: 1994-03-29, 公开日期: 1994-03-29
作者:  MIGITA, MASAHITO;  TAIKE, AKIRA;  OHTOSHI, TSUKURU
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Superlattice structure semiconductor device 专利
专利号: JP1991020096A, 申请日期: 1991-01-29, 公开日期: 1991-01-29
作者:  MITSUYU TSUNEO;  OKAWA KAZUHIRO;  KARASAWA TAKESHI
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Superlattice structure semiconductor device 专利
专利号: JP1990100381A, 申请日期: 1990-04-12, 公开日期: 1990-04-12
作者:  MITSUYU TSUNEO;  OKAWA KAZUHIRO;  KARASAWA TAKESHI
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Superlattice structure semiconductor device 专利
专利号: JP1990096384A, 申请日期: 1990-04-09, 公开日期: 1990-04-09
作者:  MITSUYU TSUNEO;  OKAWA KAZUHIRO;  KARASAWA TAKESHI
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