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科研机构
半导体研究所 [57]
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期刊论文 [51]
会议论文 [6]
发表日期
2011 [2]
2010 [1]
2009 [1]
2008 [8]
2007 [4]
2006 [7]
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学科主题
半导体物理 [57]
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共57条,第1-10条
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学科主题:半导体物理
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Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18102
作者:
Li MF
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浏览/下载:105/7
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提交时间:2011/07/05
molecular beam epitaxy
anti-phase domain
GaAs/Ge interface
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
JUNCTION SOLAR-CELLS
DOMAIN-FREE GROWTH
TEMPERATURE
QUALITY
FUTURE
Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO2(100) by metal organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: article no.245402
Fu D
;
Zhang R
;
Liu B
;
Xie ZL
;
Xiu XQ
;
Gu SL
;
Lu H
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
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浏览/下载:33/2
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提交时间:2011/07/05
FUNDAMENTAL-BAND GAP
INDIUM NITRIDE
BUFFER LAYER
DEPENDENCE
SAPPHIRE
MOCVD
Low temperature annealing effects on the structure and optical properties of ZnO films grown by pulsed laser deposition
期刊论文
vacuum, 2010, 卷号: 84, 期号: 11, 页码: 1280-1286
Zhu BL (Zhu B. L.)
;
Zhao XZ (Zhao X. Z.)
;
Su FH (Su F. H.)
;
Li GH (Li G. H.)
;
Wu XG (Wu X. G.)
;
Wu J (Wu J.)
;
Wu R (Wu R.)
收藏
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浏览/下载:91/2
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提交时间:2010/07/05
ZnO
Pulsed laser deposition (PLD)
Annealing treatment
Photoluminescence (PL)
OXIDE THIN-FILMS
SUBSTRATE-TEMPERATURE
OXYGEN-PRESSURE
ELECTRICAL-PROPERTIES
PLD TECHNIQUE
AL FILMS
EMISSION
Strain Effects on the Optical Polarization Properties of R-Plane Wurtzite GaN
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 4, 页码: art. no. 041001
作者:
Hao GD
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浏览/下载:129/28
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提交时间:2010/03/08
CONTINUOUS-WAVE OPERATION
QUANTUM-WELLS
LASER-DIODES
ORIENTATION
SEMICONDUCTORS
DEPENDENCE
ANISOTROPY
SEMIPOLAR
SAPPHIRE
FILMS
Microstructure and Optical Properties of Nonpolar m-Plane GaN Films Grown on m-Plane Sapphire by Hydride Vapor Phase Epitaxy
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2008, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 3346-3349 part 1
Wei, TB
;
Duan, RF
;
Wang, JX
;
Li, JM
;
Huo, ZQ
;
Yang, JK
;
Zeng, YP
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2010/03/08
HVPE
GaN
sapphire
nonpolar
semipolar
Stress analysis of ZnO film with a GaN buffer layer on sapphire substrate
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 2277-2280
Cui, JP
;
Wang, XF
;
Duan, Y
;
He, JX
;
Zeng, YP
收藏
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2010/03/08
THIN-FILMS
BULK ZNO
SCATTERING
PRESSURE
Influence of AlN Buffer Thickness on GaN Grown on Si(111) by Gas Source Molecular Beam Epitaxy with Ammonia
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: 4097-4100
Lin, GQ
;
Zeng, YP
;
Wang, XL
;
Liu, HX
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/03/08
RHEED
INTERLAYER
PRESSURE
NITRIDES
LAYERS
MBE
Photoluminescence properties of tensile-strained GaAsP/GaInP single quantum wells grown by metal organic chemical vapor deposition
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2008, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 7026-7031 part 1
Zhong, L
;
Ma, XY
收藏
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2010/03/08
tensile strain
GaAsP/GaInP
photoluminescence
quantum well
laser diodes
LP-MOCVD
Morphology Evolution of (331)A High-Index Surfaces During Atomic Hydrogen Assisted Molecular Beam Epitaxy (MBE)
期刊论文
光子学报, 2008, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 1107-1111
NIU Zhihong
;
REN Zhengwei
;
HE Zhenhong
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/23
Elasticity, band structure, and piezoelectricity of BexZn1-xO alloys
期刊论文
physics letters a, 2008, 卷号: 372, 期号: 16, 页码: 2930-2933
Duan, YF
;
Shi, HL
;
Qin, LX
收藏
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浏览/下载:79/0
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提交时间:2010/03/08
first-principles
bowing coefficients
piezoelectricity
alloys
elasticity
semiconductor
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