×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [16]
内容类型
期刊论文 [13]
会议论文 [3]
发表日期
2011 [1]
2006 [4]
2005 [1]
1999 [2]
1998 [1]
1997 [2]
更多...
学科主题
半导体物理 [16]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共16条,第1-10条
帮助
限定条件
学科主题:半导体物理
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18102
作者:
Li MF
收藏
  |  
浏览/下载:105/7
  |  
提交时间:2011/07/05
molecular beam epitaxy
anti-phase domain
GaAs/Ge interface
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
JUNCTION SOLAR-CELLS
DOMAIN-FREE GROWTH
TEMPERATURE
QUALITY
FUTURE
Tuning of emission wavelength of InAs/GaAs quantum dots sandwiched by combination layers
会议论文
2nd asian conference on nanoscience and nanotechnology, beijing, peoples r china, nov 24-27, 2004
Fang, ZD (Fang, Zhidan)
;
Gong, M (Gong, Meng)
;
Miao, ZH (Miao, Zhenhua)
;
Niu, ZC (Niu, Zhichuan)
收藏
  |  
浏览/下载:113/32
  |  
提交时间:2010/03/29
quantum dots
photoluminescence
combination layer
1.3 MU-M
LASERS
INALAS
Growth and magnetic properties of zincblende CrSb epilayers on relaxed and strained (In, Ga)As buffers
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 493-496
作者:
Zheng YH
收藏
  |  
浏览/下载:204/0
  |  
提交时间:2010/04/11
ROOM-TEMPERATURE FERROMAGNETISM
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
MULTILAYER
CRAS
Optical properties of inGaAs/GaAs quantum wells grown by Sb-assisted molecular beam epitaxy
会议论文
3rd international conference on materials for advanced technologies/9th international conference on advanced materials, singapore, singapore, jul 03-08, 2005
Jiang, DS
;
Qu, YH
;
Ni, HQ
;
Wu, DH
;
Xu, YQ
;
Niu, ZC
收藏
  |  
浏览/下载:110/24
  |  
提交时间:2010/03/29
molecular beam epitaxy
Optical properties of inGaAs/GaAs quantum wells grown by Sb-assisted molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 288, 期号: 1, 页码: 40529
作者:
Wu DH
;
Niu ZC
;
Jiang DS
;
Xu YQ
收藏
  |  
浏览/下载:81/0
  |  
提交时间:2010/04/11
molecular beam epitaxy
quantum wells
semiconducting III-V materials
MU-M
LASERS
TEMPERATURE
SURFACTANT
NM
Surface morphology control of strained InAs/GaAs(331)A films: From nanowires to island-pit pairs
期刊论文
applied physics letters, 2005, 卷号: 86, 期号: 1, 页码: art.no.013104
Gong Z
;
Niu ZC
;
Fang ZD
;
Miao ZH
;
Feng SL
收藏
  |  
浏览/下载:61/0
  |  
提交时间:2010/03/17
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Improvement of photoluminescence of strained SiGe/Si layers on patterned Si substrate
期刊论文
solid state communications, 1999, 卷号: 112, 期号: 5, 页码: 255-259
Si JJ
;
Guo LW
;
Yang QQ
;
Gao JH
;
Teng D
;
Zhou JM
;
Wang QM
收藏
  |  
浏览/下载:39/0
  |  
提交时间:2010/08/12
nanostructures
semiconductors
thin films
luminescence
GROWTH
WELLS
SILICON QUANTUM WIRES
Investigation of periodicity fluctuations in strained (GaNAs)(1)(GaAs)(m) superlattices by the kinematical simulation of x-ray diffraction
期刊论文
applied physics letters, 1999, 卷号: 75, 期号: 2, 页码: 223-225
Pan Z
;
Wang YT
;
Zhuang Y
;
Lin YW
;
Zhou ZQ
;
Li LH
;
Wu RH
;
Wang QM
收藏
  |  
浏览/下载:28/0
  |  
提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAASN ALLOYS
GROWTH
ENERGY
New method for the growth of highly uniform quantum dots
会议论文
2nd international conference on low dimensional structures and devices, lisbon, portugal, may 19-21, 1997
Pan D
;
Zeng YP
;
Kong MY
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2010/11/15
self-formed quantum dot
Stranski-Krastanow growth mode
superlattice
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INGAAS
GAAS
DISLOCATIONS
MULTILAYERS
DEFECTS
STRAIN
Structural ordering and interface morphology in symmetrically strained (GaIn)As/Ga(PAs) superlattices grown on off-oriented GaAs(100)
期刊论文
physical review b, 1997, 卷号: 55, 期号: 8, 页码: 5276-5283
Giannini C
;
Tapfer L
;
Zhuang Y
;
De Caro L
;
Marschner T
;
Stolz W
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2010/11/17
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
X-RAY-DIFFRACTION
SURFACE-MORPHOLOGY
ROUGHNESS
FILMS
HETEROSTRUCTURES
MULTILAYERS
INGAAS
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace