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	常关型GaN HEMT器件制备研究学位论文硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 黄宇亮收藏 \| 浏览/下载：28/0 \| 提交时间：2016/06/06 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管常关型选区二次外延
	GaN HEMT 基础问题研究学位论文博士, 北京: 中国科学院大学, 2016 何晓光收藏 \| 浏览/下载：53/0 \| 提交时间：2016/06/02 GaN HEMT 2DEG MOCVD 高阻
	GaN 基 HEMT材料的新结构研究学位论文博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012 毕杨收藏 \| 浏览/下载：33/0 \| 提交时间：2012/05/30 氮化镓铟铝氮二维电子气高电子迁移率晶体管短沟道效应
	Quantum mechanical simulation of electronic transport in nanostructured devices by efficient self-consistent pseudopotential calculation 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: article no.54503 作者: Jiang XW 收藏 \| 浏览/下载：50/2 \| 提交时间：2011/07/05 FIELD-EFFECT TRANSISTORS SEMICONDUCTOR-DEVICES SILICON DEVICES MONTE-CARLO MOSFETS NANOTRANSISTORS APPROXIMATION EQUATIONS DESIGN MODELS
	Properties of AlyGa1-yN/AlxGa1-xN/AlN/GaN Double-Barrier High Electron Mobility Transistor Structure 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 017301 Guo LC; Wang XL; Xiao HL; Ran JX; Wang CM; Ma ZY; Luo WJ; Wang ZG 收藏 \| 浏览/下载：193/43 \| 提交时间：2010/03/08 CONTENT ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION FIELD-EFFECT TRANSISTORS AL-CONTENT ALGAN/ALN/GAN HETEROSTRUCTURES HEMT STRUCTURES PHASE EPITAXY SAPPHIRE GAS DENSITIES
	Determination of MgO/AlN heterojunction band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 5, 页码: art. no. 052101 作者: Wei HY; Jiao CM; Song HP 收藏 \| 浏览/下载：236/41 \| 提交时间：2010/03/08 aluminium compounds conduction bands energy gap high electron mobility transistors III-V semiconductors magnesium compounds passivation semiconductor heterojunctions valence bands wide band gap semiconductors X-ray photoelectron spectra
	A fully three-dimensional atomistic quantum mechanical study on random dopant-induced effects in 25-nm MOSFETs 期刊论文 ieee transactions on electron devices, 2008, 卷号: 55, 期号: 7, 页码: 1720-1726 Jiang, XW; Deng, HX; Luo, JW; Li, SS; Wang, LW 收藏 \| 浏览/下载：153/1 \| 提交时间：2010/03/08 dopant fluctuation linear combination of bulk band (LCBB) MOSFET quantum mechanical threshold 3-D
	Influence of V/III ratio on the structural and photoluminescence properties of In0.52AlAs/In0.53GaAs metamorphic high electron mobility transistor grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 1119-1123 Gao, HL; Zeng, YP; Wang, BQ; Zhu, ZP; Wang, ZG 收藏 \| 浏览/下载：54/6 \| 提交时间：2010/03/08 molecular beam epitaxy semiconducting III-V materials high electron mobility transistors
	Tuning of plasmon propagation in two-dimensional electrons 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 25, 页码: art. no. 251501 Li C; Wu XG 收藏 \| 浏览/下载：225/75 \| 提交时间：2010/03/08 field effect transistors plasmons semiconductor heterojunctions spin-orbit interactions two-dimensional electron gas
	A Monolithic Integrated Logic Circuit of Resonant Tunneling Diodes and a HEMT 期刊论文半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 332-336 作者: Liu Wei 收藏 \| 浏览/下载：11/0 \| 提交时间：2010/11/23

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