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科研机构
半导体研究所 [26]
内容类型
期刊论文 [18]
会议论文 [8]
发表日期
2011 [1]
2010 [1]
2009 [2]
2008 [3]
2007 [2]
2006 [3]
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学科主题
半导体材料 [26]
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学科主题:半导体材料
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The impact of annealing temperature on the structural and magnetization properties of Sm implanted GaN films
期刊论文
materials letters, 2011, 卷号: 65, 期号: 4, 页码: 667-669
作者:
Liu C
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浏览/下载:63/7
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提交时间:2011/07/05
Diluted magnetic semiconductors (DMSs)
Ion implantation
Room-temperature ferromagnetic properties
ROOM-TEMPERATURE
Structural and magnetic properties of GaN:Sm:Eu films fabricated by co-implantation method
期刊论文
materials letters, 2010, 卷号: 64, 期号: 9, 页码: 1031-1033
Sun LL (Sun Lili)
;
Liu C (Liu Chao)
;
Li JM (Li Jianming)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Yan FW (Yan Fawang)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Li JM (Li Jinmin)
收藏
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浏览/下载:226/60
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提交时间:2010/05/07
Magnetic materials
Semiconductors
Ion implantation
Characterization of Thick GaN Films Directly Grown on Wet-Etching Patterned Sapphire by HVPE
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: art. no. 096801
作者:
Yang JK
;
Wei TB
;
Duan RF
收藏
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浏览/下载:73/3
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提交时间:2010/03/08
VAPOR-PHASE EPITAXY
DISLOCATIONS
SUBSTRATE
LAYER
Chemical etching of a GaSb crystal incorporated with Mn grown by the Bridgman method under microgravity conditions
期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 47-51
Chen Xiaofeng
;
Chen Nuofu
;
Wu Jinliang
;
Zhang Xiulan
;
Chai Chunlin
;
Yu Yude
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/11/23
A simple route of morphology control and structural and optical properties of ZnO grown by metal-organic chemical vapour deposition
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 3063-3066
Fan, HB
;
Yang, SY
;
Zhang, PF
;
Wei, HY
;
Liu, XL
;
Jiao, CM
;
Zhu, QS
;
Chen, YH
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:80/3
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提交时间:2010/03/08
SINGLE-CRYSTAL
PHASE EPITAXY
SAPPHIRE
NANORODS
FILMS
An evidence of defect gettering in GaN
期刊论文
physica b-condensed matter, 2008, 卷号: 403, 期号: 13-16, 页码: 2495-2499
Majid A
;
Ali A
;
Zhu JJ
;
Wang YT
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:54/7
  |  
提交时间:2010/03/08
GaN
Effect of Nitridation on Morphology, Structural Properties and Stress of AIN Films
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 4364-4367
作者:
Wei HY
;
Jiao CM
收藏
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浏览/下载:179/45
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提交时间:2010/03/08
TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY
WURTZITE-TYPE CRYSTALS
VAPOR-PHASE EPITAXY
INTRINSIC STRESS
SAPPHIRE SURFACE
THIN-FILMS
GAN
GROWTH
DIFFRACTION
MECHANISM
Columnar structures and stress relaxation in thick GaN films grown on sapphire by HVPE
期刊论文
chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 822-824
Wei TB (Wei Tong-Bo)
;
Ma P (Ma Ping)
;
Duan RF (Duan Rui-Fei)
;
Wang JX (Wang Jun-Xi)
;
Li JM (Li Jin-Min)
;
Zeng YP (Zeng Yi-Ping)
收藏
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浏览/下载:37/0
  |  
提交时间:2010/03/29
VAPOR-PHASE EPITAXY
Structural and Optical Performance of GaN Thick Film Grown by HVPE
期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 19-23
作者:
Duan Ruifei
;
Liu Zhe
;
Duan Ruifei
;
Wei Tongbo
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/23
Influence of Al content on electrical and structural properties of Si-doped AlxGa1-xN/GaN HEMT structures
会议论文
32nd international symposium on compound semiconductors, rust, germany, sep 18-22, 2005
Wang, CM
;
Wang, XL
;
Hu, GX
;
Wang, JX
;
Li, JP
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浏览/下载:119/30
  |  
提交时间:2010/03/29
HIGH BREAKDOWN VOLTAGE
MOBILITY TRANSISTORS
HETEROSTRUCTURES
SAPPHIRE
GANHEMTS
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