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科研机构
半导体研究所 [18]
内容类型
期刊论文 [13]
会议论文 [5]
发表日期
2011 [1]
2010 [2]
2008 [2]
2007 [1]
2005 [3]
2003 [2]
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学科主题
半导体材料 [18]
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共18条,第1-10条
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学科主题:半导体材料
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Infrared transition properties of vanadium dioxide thin films across semiconductor-metal transition
期刊论文
rare metals, 2011, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 247-251
作者:
Li GK
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浏览/下载:75/2
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提交时间:2011/07/05
vanadium dioxide
infrared transition
diffraction effect
dual ion beam sputtering
annealing
Characterization and analysis of two-dimensional GaAs-based photonic crystal nanocavities at room temperature
期刊论文
microelectronic engineering, 2010, 卷号: 87, 期号: 10, 页码: 1834-1837
Peng YS (Peng Y. S.)
;
Xu B (Xu B.)
;
Ye XL (Ye X. L.)
;
Niu JB (Niu J. B.)
;
Jia R (Jia R.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
收藏
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浏览/下载:106/27
  |  
提交时间:2010/08/17
Photonic crystal nanocavities
Quantum dots
Cavity resonant mode
Room temperature
Monolithic integration of electroabsorption modulators and tunnel injection distributed feedback lasers using quantum well intermixing
期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 12, 页码: article no.124215
Wang Y
;
Pan JQ
;
Zhao LJ
;
Zhu HL
;
Wang W
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浏览/下载:46/1
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提交时间:2011/07/05
electroabsorption modulator
tunnel injection
wide temperature range operation
quantum well intermixing
LIGHT-SOURCE MODULE
LOW-DRIVE-VOLTAGE
DFB LASER
TEMPERATURE-DEPENDENCE
CHIRP
TRANSMISSION
OPERATION
LAYER
DIODE
GB/S
Al composition variations in AlGaN films grown on low-temperature GaN buffer layer by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 24, 页码: 5266-5269
作者:
Yang H
;
Zhao DG
;
Zhu JJ
;
Yang H
;
Zhang SM
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浏览/下载:182/43
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提交时间:2010/03/08
Cathodoluminescence
MOCVD
AlGaN
Combined transparent electrodes for high power GaN-based LEDs with long life time
会议论文
9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008
Wang, LC
;
Yi, XY
;
Wang, XD
;
Wang, GH
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2010/03/09
LIGHT-EMITTING-DIODES
EFFICIENCY
Al compositional inhomogeneity of AlGaN epilayer with a high Al composition grown by metal-organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics-condensed matter, 2007, 卷号: 19, 期号: 17, 页码: art.no.176005
作者:
Yang H
;
Yang H
;
Zhao DG
;
Jiang DS
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2010/03/29
SAPPHIRE
Novel electroabsorption modulator monolithically integrated with spot-size converter
期刊论文
chinese optics letters, 2005, 卷号: 3, 期号: 1, 页码: 49-52
作者:
Wang Wei
;
Wang Wei
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/11/23
A 10-GHz Bandwidth Electroabsorption Modulated Laser by Ultra-Low-Pressure Selective Area Growth
期刊论文
chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 2016-2019
作者:
Wang Wei
;
Pan Jiaoqing
;
Wang Wei
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/11/23
1.55μm Laser Diode Monolithically Integrated with Spot-Size Converter Using Conventional Process
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 443-447
作者:
Wang Wei
;
Wang Wei
收藏
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浏览/下载:118/1
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提交时间:2010/11/23
Influence of high-temperature AIN buffer thickness on the properties of GaN grown on Si(111)
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 258, 期号: 1-2, 页码: 34-40
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:300/12
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提交时间:2010/08/12
metalorganic chemical vapor deposition
nitrides
semiconductor III-V materials
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
HIGH-QUALITY GAN
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
INTERMEDIATE LAYER
ALAS
ALN
SURFACES
SILICON
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