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科研机构
半导体研究所 [16]
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期刊论文 [16]
发表日期
2011 [2]
2008 [1]
2007 [2]
2005 [1]
2004 [1]
2002 [2]
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学科主题
半导体材料 [16]
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学科主题:半导体材料
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Effect of annealing process on the surface roughness in multiple Al implanted4H-SiC
期刊论文
journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 7, 页码: 72002
Wu, Hailei
;
Sun, Guosheng
;
Yang, Ting
;
Yan, Guoguo
;
Wang, Lei
;
Zhao, Wanshun
;
Liu, Xingfang
;
Zeng, Yiping
;
Wen, Jialiang
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2012/06/14
Aluminum
Annealing
Ion implantation
Pressure effects
Semiconducting silicon compounds
Silicon carbide
Surface roughness
Enhancement of ZnO ultraviolet emission by surface plasmon coupling using a rough NiSi2 layer synthesized by ion implantation
期刊论文
journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 10, 页码: 102002
Tan, Hairen
;
You, Jingbi
;
Zhang, Shuguang
;
Gao, Hongli
;
Yin, Zhigang
;
Bai, Yiming
;
Zhang, Xiulan
;
Zhang, Xingwang
;
Qu, Sheng
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2012/06/14
Metallic films
Plasmons
Silicides
Zinc oxide
An evidence of defect gettering in GaN
期刊论文
physica b-condensed matter, 2008, 卷号: 403, 期号: 13-16, 页码: 2495-2499
Majid A
;
Ali A
;
Zhu JJ
;
Wang YT
;
Yang H
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浏览/下载:54/7
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提交时间:2010/03/08
GaN
Anomalous photoluminescence of InAs quantum dots implanted by Mn ions
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2007, 卷号: 36, 期号: 2, 页码: 221-225
作者:
Ye XL
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2010/03/29
photoluminescence
Bioactivity of Mg-ion-implanted zirconia and titanium
期刊论文
applied surface science, 2007, 卷号: 253, 期号: 6, 页码: 3326-3333
Liang H
;
Wan YZ
;
He F
;
Huang Y
;
Xu JD
;
Li JM
;
Wang YL
;
Zhao ZG
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2010/03/29
bioactivity
Effect of ion flux on recrystallization and resistance lowering in phosphorus-implanted (0001)-oriented 4H-SiC
期刊论文
chinese physics, 2005, 卷号: 14, 期号: 3, 页码: 599-603
Xin G
;
Sun, GS
;
Li JM
;
Zhang YX
;
Lei W
;
Zhao WS
;
Zeng YP
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2010/03/17
ion implantation
Formation of ferromagnetic clusters in GaAs matrix and GaAs/AlGaAs superlattice through Mn ion implantation at two different temperatures
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 268, 期号: 1-2, 页码: 12-17
Wang CH
;
Chen YH
;
Yu G
;
Wang ZG
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浏览/下载:264/86
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提交时间:2010/03/09
nanomaterials
Studies of 6H-SiC devices
期刊论文
current applied physics, 2002, 卷号: 2, 期号: 5, 页码: 393-399
Wang SR
;
Liu ZL
收藏
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2010/08/12
SiC
Schottky
pn junction diodes
MOS capacitor
JUNCTION DIODES
Wafer bonding technique used for the integration of cubic GaN/GaAs (001) with Si substrate
期刊论文
science in china series e-technological sciences, 2002, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: 255-260
作者:
Zhang SM
;
Zhao DG
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浏览/下载:84/5
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提交时间:2010/08/12
wafer bonding
cubic
GaN/GaAs(001)
Si-substrate
LIGHT-EMITTING-DIODES
P-TYPE GAN
RESISTANCE
CONTACT
LASER
Growth of SiGe heterojunction bipolar transistor using Si2H6 gas and Ge solid sources molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 4, 页码: 489-493
Gao F
;
Huang DD
;
Li JP
;
Kong MY
;
Sun DZ
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Lin LY
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浏览/下载:149/5
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提交时间:2010/08/12
molecular beam epitaxy
semiconducting gegermanium
semiconducting silicon
bipolar transistors
heterojunction semiconductor devices
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