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| Anomalous photoluminescence of InAs quantum dots implanted by Mn ions 期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2007, 卷号: 36, 期号: 2, 页码: 221-225
作者: Ye XL
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| Temperature dependence of surface quantum dots grown under frequent growth interruption 期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 207-210
作者: Jin P; Xu B
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| High quality microcrystalline Si films by hydrogen dilution profile 期刊论文
thin solid films, 2006, 卷号: 515, 期号: 2, 页码: 452-455
Gu JH (Gu Jinhua); Zhu MF (Zhu Meifang); Wang LJ (Wang Liujiu); Liu FZ (Liu Fengzhen); Zhou BQ (Zhou Bingqing); Ding K (Ding Kun); Li GH (Li Guohua)
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| Growth of crack-free GaN films on Si(111) substrate by using Al-rich AlN buffer layer 期刊论文
journal of applied physics, 2004, 卷号: 96, 期号: 9, 页码: 4982-4988
Lu Y; Cong GW; Liu XL; Lu DC; Zhu QS; Wang XH; Wu JJ; Wang ZG
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| Optical investigation on the annealing effect and its mechanism of GaInAs/GaNAs quantum wells 期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 155-160
作者: Jiang DS
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| Influence of semi-insulating InP substrates on InAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 364-369
Dong HW; Zhao YW; Zeng YP; Jiao JH; Li JM; Lin LY
收藏 | 浏览/下载：45/0 | 提交时间：2010/08/12
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| Microdefects and electrical uniformity of InP annealed in phosphorus and iron phosphide ambiances 期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 259, 期号: 1-2, 页码: 1-7
Dong ZY; Zhao YW; Zeng YP; Duan ML; Sun WR; Jiao JH; Lin LY
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| Influence of high-temperature AIN buffer thickness on the properties of GaN grown on Si(111) 期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 258, 期号: 1-2, 页码: 34-40
作者: Zhao DG
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| Dependence of optical properties on the structure of multi-layer self-organized InAs quantum dots emitting near 1.3 mu m 期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 3-4, 页码: 432-438
作者: Jin P; Ye XL; Li CM; Xu B
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| Influence of strain on annealing effects of In(Ga)As quantum dots 期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 244, 期号: 2, 页码: 136-141
作者: Xu B
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