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半导体研究所 [34]
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期刊论文 [31]
会议论文 [3]
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2011 [2]
2010 [1]
2009 [1]
2008 [4]
2007 [4]
2006 [1]
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学科主题
半导体材料 [34]
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共34条,第1-10条
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学科主题:半导体材料
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提交时间升序
提交时间降序
Polarity dependent structure and optical properties of freestanding GaN layers grown by hydride vapor phase epitaxy
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2011
Hu, Qiang
;
Wei, Tongbo
;
Duan, Ruifei
;
Yang, Jiankun
;
Huo, Ziqiang
;
Zeng, Yiping
;
Xu, Shu
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2012/06/14
Carrier concentration
Etching
Gallium alloys
Optical properties
Point defects
Raman spectroscopy
Semiconducting gallium compounds
Vapor phase epitaxy
Vapors
Determination of InN/Diamond Heterojunction Band Offset by X-ray Photoelectron Spectroscopy
期刊论文
nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.50
作者:
Wei HY
;
Song HP
;
Zhang B
收藏
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浏览/下载:64/2
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提交时间:2011/07/05
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
CORE-LEVEL PHOTOEMISSION
SB-DOPED SNO2
INN
GROWTH
GAN
NAXWO3
ALLOYS
GREEN
STATE
Evaluating 0.53 eVGaInAsSbthermophotovoltaic diode based on an analytical absorption model
期刊论文
semiconductor science and technology, 2010, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: art. no. 095002
Wang Y (Wang Y.)
;
Chen NF (Chen N. F.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Huang TM (Huang T. M.)
;
Yin ZG (Yin Z. G.)
;
Bai YM (Bai Y. M.)
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浏览/下载:170/19
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提交时间:2010/09/20
OPTICAL DIELECTRIC FUNCTION
DISPERSION-RELATIONS
CARRIER MOBILITIES
PHASE EPITAXY
DOPED GAAS
DEVICES
GASB
INP
ALXGA1-XAS
INGAASSB
Annealing study of carrier concentration in gradient-doped GaAs/GaAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
applied optics, 2009, 卷号: 48, 期号: 9, 页码: 1715-1720
Zhang YJ
;
Chang BK
;
Yang Z
;
Niu J
;
Xiong YJ
;
Shi F
;
Guo H
;
Zeng YP
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浏览/下载:65/25
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提交时间:2010/03/08
GAAS PHOTOCATHODES
GALLIUM-ARSENIDE
ALXGA1-XAS
DIFFUSION
SURFACE
ENERGY
The influence of 1 nm AlN interlayer on properties of the Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN HEMT structure
期刊论文
microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 777-781
Guo, LC
;
Wang, XL
;
Wang, CM
;
Mao, HL
;
Ran, JX
;
Luo, WJ
;
Wang, XY
;
Wang, BZ
;
Fang, CB
;
Hu, GX
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浏览/下载:94/1
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提交时间:2010/03/08
GaN
HEMT
2DEG
mobility
polarization
The growth temperatures dependence of optical and electrical properties of InN films
期刊论文
science in china series g-physics mechanics & astronomy, 2008, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 237-242
Liu, B
;
Zhang, R
;
Xie, ZL
;
Xiu, XQ
;
Li, L
;
Kong, JY
;
Yu, HQ
;
Han, P
;
Gu, SL
;
Shi, Y
;
Zheng, YD
;
Tang, CG
;
Chen, YH
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:48/2
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提交时间:2010/03/08
metalorganic chemical vapor deposition
X-ray diffraction
photoluminescence
A simple route of morphology control and structural and optical properties of ZnO grown by metal-organic chemical vapour deposition
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 3063-3066
Fan, HB
;
Yang, SY
;
Zhang, PF
;
Wei, HY
;
Liu, XL
;
Jiao, CM
;
Zhu, QS
;
Chen, YH
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:80/3
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提交时间:2010/03/08
SINGLE-CRYSTAL
PHASE EPITAXY
SAPPHIRE
NANORODS
FILMS
Growth of 0.55eV-GaInAsSb Quaternary Alloy Films for a Thermophotovoltaic Device by Liquid Phase Epitaxy
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 7, 页码: 1258-1262
作者:
Yang Xiaoli
;
Wang Yu
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/11/23
Columnar structures and stress relaxation in thick GaN films grown on sapphire by HVPE
期刊论文
chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 822-824
Wei TB (Wei Tong-Bo)
;
Ma P (Ma Ping)
;
Duan RF (Duan Rui-Fei)
;
Wang JX (Wang Jun-Xi)
;
Li JM (Li Jin-Min)
;
Zeng YP (Zeng Yi-Ping)
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2010/03/29
VAPOR-PHASE EPITAXY
InAs0.3Sb0.7 films grown on (100) GaSb substrates with a buffer layer by liquid-phase epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 304, 期号: 2, 页码: 472-475
Gao FB (Gao Fubao)
;
Chen NF (Chen NuoFu)
;
Liu L (Liu Lei)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Wu JL (Wu Jinliang)
;
Yin ZG (Yin Zhigang)
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2010/03/29
crystal structure
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