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Microscopic study on the carrier distribution in optoelectronic device structures: Experiment and modeling 期刊论文
proceedings of spie- the international society for optical engineering, 2011, 卷号: 8308, 页码: 83081y
Huang, Wenchao; Xia, Hui; Wang, Shaowei; Deng, Honghai; Wei, Peng; Li, Lu; Liu, Fengqi; Li, Zhifeng; Li, Tianxin
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/06/14
Annealing study of carrier concentration in gradient-doped GaAs/GaAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文
applied optics, 2009, 卷号: 48, 期号: 9, 页码: 1715-1720
Zhang YJ; Chang BK; Yang Z; Niu J; Xiong YJ; Shi F; Guo H; Zeng YP
收藏  |  浏览/下载：79/25  |  提交时间：2010/03/08
Characterization of free-standing GaN substrate grown through hydride vapor phase epitaxy with a TiN interlayer 期刊论文
applied surface science, 2007, 卷号: 253, 期号: 18, 页码: 7423-7428
作者:  Duan RF;  Wei TB
收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/03/29
GaN  
Photoluminescence investigation of two-dimensional electron gas in an undoped AlxGa1-xN/GaN heterostructure 期刊论文
chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 2096-2099
Han, XX; Wu, JJ; Li, JM; Cong, GW; Liu, XL; Zhu, QS; Wang, ZG
收藏  |  浏览/下载：45/17  |  提交时间：2010/03/17
Room-temperature ferromagnetic semiconductor MnxGa1-xSb 期刊论文
chinese science bulletin, 2003, 卷号: 48, 期号: 6, 页码: 516-518
Chen NF; Zhang FQ; Yang JL; Liu ZK; Yang SY; Chai CL; Wang ZG; Hu WR; Lin LY
收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12
Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth 会议论文
iumrs/icem 2002 conference, xian, peoples r china, jun 10-14, 2002
Zhang ZC; Ren BY; Chen YH; Yang SY; Wang ZG
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/11/15
Optical investigation on the annealing effect and its mechanism of GaInAs/GaNAs quantum wells 期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 155-160
作者:  Jiang DS
收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/08/12
Quasi-thermodynamic analysis of MOVPE of AlGaN 期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 73-78
Lu DC; Duan S
收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12
Initial stages of GaN/GaAs (100) growth by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文
journal of electronic materials, 2000, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 177-182
作者:  Zhao DG
收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12
Temperature dependence of the optical properties of InAs/GaAs self-organized quantum dots with bimodal size distribution 期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 209, 期号: 4, 页码: 630-636
Wang HL; Ning D; Feng SL
收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/08/12

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